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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：华南理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管中辐射导致的寄生效应研究 期刊论文 《物理学报》, 2018, 卷号: 67, 页码: 284-293 作者:  彭超[1,2];  恩云飞[1];  李斌[2];  雷志锋[1];  张战刚[1] 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/04/22 绝缘体上硅  总剂量效应  寄生效应 实验和仿真   深亚微米MOS晶体管总剂量效应模型研究 期刊论文 《核电子学与探测技术》, 2013, 卷号: 33, 页码: 735-738 作者:  李斌[1];  许跃彬[1];  潘元真[1] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/25 总剂量效应  浅沟道隔离  泄漏电流 退化   MOSFET总剂量效应的Medici仿真研究 会议论文 2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会, 温州, 2005年10月01日 作者:  林丽 [1];  何玉娟 [1];  李斌 [2];  罗宏伟 [3];  师谦 [3] 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2019/04/18 MOS器件  辐照效应  电离辐射 计算机仿真   MOSFET总剂量效应的Medici仿真研究 会议论文 第十一届全国可靠性物理学术讨论会, 浙江温州, 2005-10 作者:  林丽 李斌 罗宏伟 师谦 何玉娟 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2019/04/18 辐照  总剂量  MEDICI  电离辐射 仿真   偏置条件对NMOS器件X射线总剂量效应的影响 会议论文 中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会, 福建武夷山, 2006年10月22日 作者:  何玉娟 [1];  师谦 [1];  罗宏伟 [1];  章晓文 [1];  李斌 [2] 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2019/04/18 NMOS器件  总剂量辐射 辐射偏置