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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Simulation and Growth Study of V/III Ratio Effects on HVPE Grown GaN 期刊论文 INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTROCHEMICAL SCIENCE, 2013, 卷号: 8, 期号: 3, 页码: 4110-4119 作者:  Li, Hongyun;  Zhang, Lei;  Shao, Yongliang;  Wu, Yongzhong;  Hao, Xiaopeng 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/23 V/III  Simulation  Hydride vapor phase epitaxy  GaN   Comparison of the strain of GaN films grown on MOCVD-GaN/Al_2O_3 and MOCVD-GaN/SiC samples by HVPE growth 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2011, 卷号: 334, 期号: 1, 页码: 62-66 作者:  Lei Zhang;  Yongliang Shao;  Xiaopeng Hao;  Yongzhong Wu;  Shuang Qu 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/23 A1. stresses  A3. hydride vapor phase epitaxy  B1. gallium compounds  B1. nitrides  B2. semiconducting iii-v materials   Characterization of dislocation etch pits in HVPE-grown GaN using different wet chemical etching methods 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2010, 卷号: 504, 期号: 1, 页码: 186-191 作者:  Zhang, Lei;  Shao, Yongliang;  Wu, Yongzhong;  Hao, Xiaopeng;  Chen, Xiufang 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26 Dislocation  Etch pits  Hydride vapor phase epitaxy  GaN