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山东大学 [7]
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2012 [1]
2011 [3]
2003 [3]
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MOCVD生长GaAsP/InGa(Al)P/GaAs大功率808nm张应变量子阱激光器材料
期刊论文
人工晶体学报, 2012, 期号: S1, 页码: 285-288
作者:
蒋锴
;
李沛旭
;
张新
;
李树强
;
夏伟
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提交时间:2019/12/23
量子阱激光器
张应变
非对称结构
金属有机物化学气相沉积
气体传感用长波长大应变量子阱分布反馈激光器的研究
学位论文
: 山东大学, 2011
作者:
于红艳
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提交时间:2019/04/18
气体传感用长波长大应变量子阱分布反馈激光器的研究
学位论文
2011
作者:
于红艳
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/20
低压金属有机化合物气相沉积
多量子阱分布反馈激光器
生长中断
载流子阻挡层
应变缓冲层
808nm无Al量子阱激光器mini阵列的研制
期刊论文
半导体技术, 2011, 卷号: 36, 期号: 12
作者:
王翎
;
李沛旭
;
房玉锁
;
汤庆敏
;
张新
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提交时间:2019/12/23
半导体激光器mini阵列
应变量子阱
金属有机化合物化学气相淀积
大应变In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs量子阱激光器的生长和研究
期刊论文
量子电子学报, 2003, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 707-710
作者:
潘教青
;
黄柏标
;
张晓阳
;
任忠祥
;
秦晓燕
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2020/01/03
应变量子阱激光器
生长中断
应变缓冲层
MOCVD生长1.06μm InGaAs/GaAs量子阱LDs
期刊论文
光电子·激光, 2003, 期号: 06, 页码: 590-593
作者:
潘教青,黄柏标,张晓阳,岳金顺,秦晓燕,于永芹,尉吉勇
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提交时间:2020/01/03
应变量子阱
MOCVD
半导体激光器(LD)
MOCVD生长1.06 mum InGaAs/GaAs量子阱LDs
期刊论文
光电子·激光, 2003, 卷号: 14, 期号: 6, 页码: 590-593
作者:
潘教青
;
黄柏标
;
张晓阳
;
岳金顺
;
秦晓燕
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提交时间:2020/01/03
应变量子阱
半导体激光器(LD)
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