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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：高能物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Dislocation-related photoluminescence of GeSn films grown on Ge (001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 33, 期号: 12, 页码: 125022 作者:  Yang, Xinju;  Jia QJ(贾全杰);  Jiang, Zuimin;  Jia, Quanjie;  Zhong, Zhenyang 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2019/10/11 GeSn  dislocation-related photoluminescence  molecular beam epitaxy  microstructure  x-ray diffraction reciprocal space mapping   Epitaxial growth of Ge1-xSnx films with x up to 0.14 grown on Ge (00l) at low temperature 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2014, 卷号: 23, 期号: 8, 页码: 88112 作者:  Tao, P;  Huang, L;  Cheng, HH;  Wang, HH;  Wu, XS;王焕华 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2016/04/08 GeSn films  high resolution X-ray diffraction  fully-strained  Raman measurements   Novel Sn-assisted nitridation of Ge/HfO2 interface and improved electrical properties of the MOS capacitor 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 53, 期号: 4, 页码: 41301 作者:  赵梅;Zhao, M;  Liu, L;  Liang, RR;  Wang, J;  Xu, J 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2016/04/08