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| 一种基于图形化的SOI-ESD保护器件及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102201405A, 申请日期: 2011-09-28, 公开日期: 2011-09-28 程新红; 夏超; 王中健; 俞跃辉; 何大伟; 徐大伟
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| 一种混晶材料的制备方法及用该材料制备的半导体器件 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102064097A, 申请日期: 2011-05-18, 公开日期: 2011-05-18 王曦; 张苗; 薛忠营
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| 图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究 期刊论文 功能材料, 2010, 期号: 07 张波; 陈静; 魏星; 武爱民; 薛忠营; 罗杰馨; 王曦; 张苗
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| 双埋层结构的绝缘体上的硅材料、制备及用途 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1564323, 申请日期: 2005-01-12, 公开日期: 2005 林志浪; 张峰; 程新利; 董业民; 陈猛; 王曦
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| 一种形成半导体衬底的方法 成果 鉴定: 无, 2005 王曦
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| 同时形成图形化埋氧和器件浅沟槽隔离的方法 成果 鉴定: 无, 2005 未知
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| 剂量-能量优化注氧隔离技术制备图形化绝缘体上的硅材料 成果 鉴定: 无, 2005 王曦
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| 高性能图形化SOI功率器件的研制 期刊论文 功能材料与器件学报, 2005, 期号: 03 程新红; 宋朝瑞; 杨文伟; 俞跃辉
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| 图形化SOI射频功率器件研究 学位论文 博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2005 程新红
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| 双埋层结构的绝缘体上的硅材料、制备及用途 成果 鉴定: 无, 2004 林志浪; 张峰; 程新利; 董业民; 陈猛; 王曦
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:25/0  |  提交时间:2013/04/12 |