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Hydride vapor phase epitaxy growth of high-quality GaN film on in situ etched GaN template 期刊论文
MATERIALS LETTERS, 2009, 卷号: 63, 期号: 11, 页码: 943-945
Lin, CT; Yu, GH; Wang, XZ; Cao, MX; Lu, HF; Gong, H; Qi, M; Li, AZ
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Hydride vapor phase epitaxy growth of high-quality GaN film on in situ etched GaN template 期刊论文
MATERIALS LETTERS, 2009, 卷号: 63, 期号: 11, 页码: 943-945
Lin, CT; Yu, GH; Wang, XZ; Cao, MX; Lu, HF; Gong, H; Qi, M; Li, AZ
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/05/10
Thick GaN grown on a nanoporous GaN template by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文
ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2008, 卷号: 11, 期号: 10, 页码: H273-H275
Wang, XZ; Yu, GH; Lin, CT; Cao, MX; Gong, H; Qi, M; Li, AZ
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Polarity conversion of hydride vapor phase epitaxy growing GaN via growth interruption modulation 期刊论文
THIN SOLID FILMS, 2008, 卷号: 516, 期号: 12, 页码: 3772-3775
Lei, BL; Yu, GH; Ye, HH; Meng, S; Wang, XZ; Lin, C; Qi, M; Li, A; Nouet, G; Ruterana, P; Chen, J
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/03/24
Polarity conversion of hydride vapor phase epitaxy growing GaN via growth interruption modulation 期刊论文
THIN SOLID FILMS, 2008, 卷号: 516, 期号: 12, 页码: 3772-3775
Lei, BL; Yu, GH; Ye, HH; Meng, S; Wang, XZ; Lin, C; Qi, M; Li, A; Nouet, G; Ruterana, P; Chen, J
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Thick GaN grown on a nanoporous GaN template by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文
ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2008, 卷号: 11, 期号: 10, 页码: H273-H275
Wang, XZ; Yu, GH; Lin, CT; Cao, MX; Gong, H; Qi, M; Li, AZ
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/05/10
Effect of AlN intermediate layer on growing GaN film by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文
RARE METALS, 2006, 卷号: 25, 页码: 15-19
Lin, CT; Yu, GH; Lei, BL; Wang, XZ; Ye, HH; Meng, S; Qi, M; Li, AZ; Nouet, G; Ruterana, P; Chen, J
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Indium assisted hydride vapor phase epitaxy of GaN film 期刊论文
JOURNAL OF CERAMIC PROCESSING RESEARCH, 2006, 卷号: 7, 期号: 2, 页码: 180-182
Yu, GH; Lei, BL; Ye, HH; Meng, S; Qi, M; Li, AZ; Ruterana, P; Chen, J; Nouet, G
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