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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 基于MBE生长的一种Be掺杂InGaAs基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs DHBT 期刊论文 半导体学报, 2006, 期号: 06 苏树兵; 徐安怀; 刘新宇; 齐鸣; 刘训春; 王润梅 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/01/06 硫化铅  络合  溶液化学  Tafel曲线   162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管(英文) 期刊论文 半导体学报, 2006, 期号: 10 于进勇; 严北平; 苏树兵; 刘训春; 王润梅; 徐安怀; 齐 鸣; 刘新宇 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/01/06 半导体技术  化学镀Ni-P  纯锡凸点  高温回流  Ni_3Sn_4金属间化合物   高性能的Be掺杂基区InP/InGaAs SHBT 会议论文 2005'全国微波毫米波会议, 2006 苏树兵; 于进勇; 刘新宇; 刘训春; 王润梅; 徐安怀; 齐鸣 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/01/18 MBE 磷化铟 单异质结双极晶体管 铍   不同集电结结构的AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管 期刊论文 固体电子学研究与进展, 2005, 期号: 03 李冰寒; 刘文超; 周健; 夏冠群 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/01/06 霍尔效应  磁传感器  开关  GaAs  集成电路