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实现源体欧姆接触的SOI MOS器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101950723A, 申请日期: 2011-01-19, 公开日期: 2011-01-19
陈静; 伍青青; 罗杰馨; 肖德元; 王曦
收藏  |  浏览/下载:36/0  |  提交时间:2012/01/06
基于MOS电容衬底压阻的纳米梁检测研究 期刊论文
传感器与微系统, 2011, 期号: 12
丁萃; 成海涛; 杨恒
收藏  |  浏览/下载:23/0  |  提交时间:2012/04/13
用于纳米梁位移检测的MOS电容下压阻结构 会议论文
第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议, 2009
成海涛; 杨恒; 王跃林
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2012/01/18
基于绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法 成果
鉴定: 无, 2007
张恩霞; 张正选; 王曦; 孙佳胤; 钱聪; 贺威
收藏  |  浏览/下载:125/0  |  提交时间:2013/04/12
基于绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1763918, 申请日期: 2006-04-26, 公开日期: 2006-04-26
张恩霞; 张正选; 王曦; 孙佳胤; 钱聪; 贺威
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2012/01/06
电化学电容-电压法表征等离子体掺杂超浅结 期刊论文
半导体学报, 2006, 期号: 11
武慧珍; 茹国平; 张永刚; 金成国; 水野文二; 蒋玉龙; 屈新萍; 李炳宗
收藏  |  浏览/下载:28/0  |  提交时间:2012/01/06
离子交换玻璃光波导器件制备技术研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)  , 2005
郝寅雷  
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高掺杂沟道GaAs M-I(10~2)-S Schottky势垒栅场效应晶体管(MIS SB FET) 期刊论文
半导体学报, 1984, 期号: 06
周勉; 王渭源
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2012/03/29


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