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| 短波红外InGaAs探测器性能分析及器件研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2012
李成
  收藏 | 浏览/下载：100/0 | 提交时间：2013/04/24
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| InP衬底上晶格匹配四元系InAlGaAs的气态源分子束外延生长(英文) 期刊论文
红外与毫米波学报, 2012, 期号: 5, 页码: 385-388+398
王凯; 顾溢; 方祥; 周立; 李成; 李好斯白音; 张永刚
收藏 | 浏览/下载：23/0 | 提交时间：2013/02/22
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| 高迁移率SiGe/sSOI量子阱MOSFET及NiSiGe源漏接触研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2011
张波
收藏 | 浏览/下载：21/0 | 提交时间：2012/03/06 |
| PDSOI MOS器件总剂量辐射效应和FDSOI高迁移率MOS器件研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2011
俞文杰
收藏 | 浏览/下载：75/0 | 提交时间：2012/03/06 |
| 毫米波单片正交矢量调制器及其应用研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2010
侯阳
收藏 | 浏览/下载：31/0 | 提交时间：2012/03/06
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| 磁场与太赫兹场作用下二维电子气输运特性研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2010
周其盛
收藏 | 浏览/下载：65/0 | 提交时间：2012/03/06
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| 纳米尺度下界面陷阱产生的巨压阻及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101475140, 申请日期: 2009-07-08, 公开日期: 2009-07-08
杨永亮; 李昕欣
收藏 | 浏览/下载：23/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| 富硅二氧化硅总剂量辐射效应及其机理初探 学位论文
硕士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2009
陈明
收藏 | 浏览/下载：49/0 | 提交时间：2012/03/06
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| 静电计检测微位移的原理和实验 期刊论文
上海计量测试, 2008, 期号: 02
陆德仁; 鲍海飞; 刘民
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2012/01/06
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| 0.18μm NMOSFETS的衬底偏压增强电子注入的电荷泵技术(英文) 期刊论文
功能材料与器件学报, 2008, 期号: 03
王庆学
收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2012/01/06
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