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一种制备Sn-Ag-In三元无铅倒装凸点的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102222630A, 申请日期: 2011-10-19, 公开日期: 2011-10-19
王栋良; 罗乐; 徐高卫; 袁媛
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一种绝缘体上应变硅制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101916741A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15
张苗; 张波; 王曦; 薛忠营; 魏星; 武爱民
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可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构的制作工艺 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101916728A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15
程新红; 何大伟; 王中健; 徐大伟; 宋朝瑞; 俞跃辉
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一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101764102A, 申请日期: 2010-06-30, 公开日期: 2010-06-30
程新红; 何大伟; 俞跃辉; 肖德元; 王中健; 徐大朋
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多晶硅/氧化硅/多晶硅非平面结构中Fowler-Nordheim隧穿及氧化层退化研究(英文) 期刊论文
功能材料与器件学报, 2010, 期号: 06
董耀旗; 孔蔚然
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采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101615590, 申请日期: 2009-12-30, 公开日期: 2009-12-30
魏星; 王湘; 李显元; 张苗; 王曦; 林成鲁
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制备绝缘体上硅材料的内热氧化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101388331, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009
欧 欣; 王 曦; 张 苗
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一种基板可重复使用的制备微小焊球的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101246828, 申请日期: 2008-08-20, 公开日期: 2008-08-20
林小芹; 罗乐
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用电子束曝光和化学机械抛光工艺制备纳电子存储器的方法 成果
鉴定: 无, 2008
宋志棠; 刘奇斌; 张楷亮; 封松林; 陈邦明
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用电子束曝光和化学机械抛光工艺制备纳电子存储器的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1866496, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2006-11-22
宋志棠; 刘奇斌; 张楷亮; 封松林; 陈邦明
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