|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| 一种包含赝衬底的InP基应变量子阱结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101982905A, 申请日期: 2011-03-02, 公开日期: 2011-03-02
顾溢; 张永刚
  收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| InP基2—3μm波段量子阱研究 会议论文
第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 2010
顾溢; 张永刚
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2012/01/18 |
| 镍-氢电池充放电过程中的化学物理现象及机制 期刊论文
吉首大学学报(自然科学版), 2009, 期号: 06
杨传铮; 娄豫皖; 夏保佳
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2012/01/06
|
| 干法刻蚀和离子注入影响III-V族半导体量子阱发光特性研究 学位论文
博士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2007
曹萌
收藏 | 浏览/下载：108/0 | 提交时间：2012/03/06
|
| 干法刻蚀影响应变量子阱发光的机理研究 期刊论文
物理学报, 2007, 期号: 02
曹萌; 吴惠桢; 刘成; 劳燕锋; 黄占超; 谢正生; 张军; 江山
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2012/01/06
|
| MBE生长940nm应变量子阱半导体激光器研究 会议论文
第八届真空技术应用学术年会, 2005
董明礼; 曲轶; 艾立昆; 李银柱; 李玉英; 袁俊; 何江玲
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2012/01/18
|
| 中红外波段锑化物激光器、探测器器件与物理研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2004
张雄
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2012/03/06
|
| GaAs、GaSb基材料生长及其器件研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2004
李冰寒
收藏 | 浏览/下载：42/0 | 提交时间：2012/03/06
|
| Ga_xIn_(1-x)As/GaInAsP应变量子阱结构能带的计算 期刊论文
功能材料与器件学报, 2002, 期号: 03
高少文; 陈意桥; 李爱珍
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2012/01/06
|
| 980nm半导体泵浦激光器结构设计 学位论文
硕士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2002
高少文
收藏 | 浏览/下载：146/0 | 提交时间：2012/03/06
|
