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一种薄GOI晶片及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102290369A, 申请日期: 2011-12-21, 公开日期: 2011-12-21
张苗; 陈达; 卞剑涛; 姜海涛; 薛忠营

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含有数字合金位错隔离层的大失配外延缓冲层结构及制备 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102254954A, 申请日期: 2011-11-23, 公开日期: 2011-11-23
顾溢; 张永刚

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利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101958271A, 申请日期: 2011-01-26, 公开日期: 2011-01-26
张苗; 张波; 王曦; 薛忠营; 魏星; 武爱民

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GaN衬底上纳米点阵列的制备及其应用研究 期刊论文
光电子.激光, 2011, 期号: 04
王新中; 于广辉; 李世国

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一种利用层转移技术制备绝缘体上锗硅材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101866874A, 申请日期: 2010-10-20, 公开日期: 2010-10-20
张苗; 薛忠营; 张波; 魏星

收藏 | 浏览/下载：115/0 | 提交时间：2012/01/06

包含超晶格隔离层的大晶格失配外延材料缓冲层结构及其制备 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101814429A, 申请日期: 2010-08-25, 公开日期: 2010-08-25
顾溢; 张永刚

收藏 | 浏览/下载：28/0 | 提交时间：2012/01/06

混合晶向应变硅衬底及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101692440A, 申请日期: 2010-04-07, 公开日期: 2010-04-07
魏星; 王湘; 李显元; 张苗; 王曦; 林成鲁

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SOI衬底上SiGe HBT材料与器件研究 学位论文
博士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2009
陈超

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湿法化学腐蚀法估算GaN外延层中位错密度 期刊论文
半导体技术, 2009, 期号: 12
曹明霞; 于广辉; 王新中; 林朝通; 卢海峰; 巩航

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AlInAs/InP异质隧道结的设计与器件应用 期刊论文
半导体光电, 2009, 期号: 05
刘成; 曹春芳; 劳燕锋; 曹萌; 吴惠桢

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