QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of TaN as the wet etch stop layer for HKMG-last integration in the 22 nm and beyond nodes CMOS technology 期刊论文 Vacuum, 2015 作者:  Cui HS(崔虎山);  Luo J(罗军);  Xu J(许静);  Gao JF(高建峰);  Xiang JJ(项金娟) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2016/05/31 Integration Issue of Tensile SiN Liner for Dual Stress Liner(DSL) in Gate-Last High-k/Metal Gate(HKMG) Process Flow 期刊论文 ECS Trans., 2013 作者:  Wang GL(王桂磊);  Yin HZ(尹海洲);  Qin ZL(秦长亮) 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2014/10/30 Impact of TaN as wet etch stop layer on device characteristics for dual metal HKMG last integration CMOSFETs 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2013 作者:  Xu J(许静);  Tang ZY(唐兆云);  Yang H(杨红) 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2014/10/30 Dummy Poly Silicon Gate Removal by Wet Chemical Etching 会议论文 作者:  Yang T(杨涛) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/11/19