QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Toward High-Performance Top-Gate Ultrathin HfS2 Field-Effect Transistors by Interface Engineering 期刊论文 small, 2016 作者:  Chen B(陈波) 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2017/05/09 The investigation of key technologies for sub-0.1-mu m CMOS device fabrication 外文期刊 2001 作者:  Xu, QX;  Qian, H;  Yin, HX;  Jia, L;  Ji, HH 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/26 p+-polysilicon Gate  Ge Preamorphization  Thin-films  Oxides  Transformation  Suppression  Resistance  Extension  Salicide  Mosfet