|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| Tuning of Schottky Barrier Height at NiSi/Si Contact by Combining Dual Implantation of Boron and Aluminum and Microwave Annealing 期刊论文
Materials, 2018
作者: Wei Zou; Zhijun Qiu; Dongping Wu; Luo J(罗军); Xiangbiao Zhou
  收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2019/05/20 |
| Schottky Barrier Height Tuning via the Dopant Segregation Technique through Low-Temperature Microwave Annealing 期刊论文
Materials, 2016
作者: Luo J(罗军) ; Zhao C(赵超)
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2017/05/09 |
| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: US9012965, 申请日期: 2015-04-21, 公开日期: 2012-07-19
作者: 罗军; 赵超
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2016/09/19 |
| SCHOTTKY BARRIER HEIGHT MODULATION IN METAL/N-GE SYSTEM 期刊论文
Proceedings of ICSICT2014, 2014
作者: Gong ZJ(龚著靖); Wang SK(王盛凯); Yang X(杨旭); Sun B(孙兵); Zhao W(赵威)
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2015/04/16 |
| Variation of Schottky barrier height induced by dopant segregation 期刊论文
Microelectronic engineering, 2013
作者: Chou ZJ(仇志军); Luo J(罗军); Deng J(邓坚)
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2014/10/30 |
| A modified scheme to tune the Schottky Barrier Height of NiSi by means of dopant segregation technique 期刊论文
Vacuum, 2013
作者: Zhao C(赵超); Deng J(邓坚); Liu ZB(刘庄波)
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2014/10/30 |
| Schottky barrier height modulation in metal/n-Ge system 会议论文
作者: Liu HG(刘洪刚); Gong ZJ(龚著靖); Wang SK(王盛凯)
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2014/10/28 |
| A more CMOS process compatible scheme to tune the Schottky barrier height of NiSi to electrons by means of dopant segregation technique 会议论文
2012-11-01
作者: Deng J(邓坚); Luo J(罗军)
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2013/11/04 |
| Thermal stability and dopant segregation for Schottky diodes with ultrathin epitaxial NiSi2-y 期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2011
作者: Luo J(罗军)
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2012/11/16 |
| 新型金属源／漏工程新进展 期刊论文
微电子学, 2008, 卷号: 38, 期号: 4, 页码: 6，524-529
作者: 尚海平; 徐秋霞
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2010/05/27
|
