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Thermal Analysis of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility HEMT with Graphene 期刊论文
Journal of nanoscience and nanotechnology, 2018
作者:  Liu HG(刘洪刚);  Jie Sun;  Zhang GB(张国斌);  Zhao M(赵妙);  Chunli Yan
收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/04/19
基于BCl3/Cl2/Ar气体的ICP刻蚀技术对于GaN HEMT器件肖特基性能的改进 会议论文
作者:  陈晓娟;  王鑫华;  魏珂;  郑英奎;  樊捷
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/07/20
N2 plasma treatment for gate leakage reduction in AlGaN/GaN HEMT 会议论文
作者:  Wang XH(王鑫华);  Huang S(黄森);  Chen XJ(陈晓娟);  Wei K(魏珂);  Liu GG(刘果果)
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/07/20
基于Recess欧姆接触结构的AlGaN/GaN HEMT器件研究 期刊论文
半导体技术, 2017
作者:  魏珂;  陈诗哲;  刘新宇;  王泽卫;  张宗敬
收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2018/05/16
一种监控凹栅槽刻蚀的新方法 专利
专利号: CN201410046236.9, 申请日期: 2016-08-24, 公开日期: 2014-04-23
作者:  郑英奎;  袁婷婷;  魏珂;  刘新宇
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/05/27
AlGaN/GaN HEMT器件模型和MMIC功率放大器研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2016
作者:  TIWAT PONGTHAVORNKAMOL
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/08/29
Short channel effect of AlGaN/GaN HEMT with a super-lattice barrier layer 会议论文
作者:  Liu XY(刘新宇);  Liu GG(刘果果);  Huang S(黄森);  Wang XH(王鑫华)
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/06/15
Optimized power simulation of AlGaN/GaN HEMT for continuous wave and pulse applications 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2015
作者:  Pang L(庞磊);  Wang XH(王鑫华);  Huang S(黄森);  Liu GG(刘果果);  Yuan TT(袁婷婷)
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2016/05/26
对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法 专利
专利号: CN201110236597.6, 申请日期: 2014-12-17, 公开日期: 2013-03-06
作者:  欧阳思华;  魏珂;  刘新宇;  郑英奎;  彭铭曾
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/11/20
Improved power simulation of AlGaN/GaN HEMT at class-AB operation via an RF drain–source current correction method 期刊论文
Chinese Physics B, 2014
作者:  Pang L(庞磊);  Lin TY(林体元);  Liu XY(刘新宇);  Yuan TT(袁婷婷)
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2015/04/16

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