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| 基于新型高k介质及高迁移率沟道材料的电荷俘获型存储器研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2019
作者: 侯朝昭
  收藏 | 浏览/下载：33/0 | 提交时间：2019/09/05 |
| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410707178.X, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-06-22
作者: 钟汇才 ; 罗军; 赵超; 朱慧珑
收藏 | 浏览/下载：37/0 | 提交时间：2019/03/26 |
| 半导体制造方法 专利
专利号: CN201310215647.1, 申请日期: 2018-04-03, 公开日期: 2014-12-17
作者: 朱慧珑; 殷华湘; 秦长亮
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2019/03/19 |
| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201210293349.X, 申请日期: 2018-02-13, 公开日期: 2014-02-19
作者: 马小龙; 殷华湘; 付作振
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2019/03/14 |
| 单片集成红外焦平面探测器 专利
专利号: CN201310024184.0, 申请日期: 2015-09-16, 公开日期: 2013-05-01
作者: 殷华湘; 王玉光; 陈大鹏
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2016/09/18 |
| 高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2013
作者: 常虎东
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2017/10/13 |
| 高迁移率Ⅲ-Ⅴ族半导体MOS界面结构 专利
专利号: CN201010118896.5, 申请日期: 2013-05-01, 公开日期: 2011-09-21
作者: 刘新宇; 刘洪刚; 吴德馨; 常虎东
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2016/10/12 |
| 高迁移率In0.6Ga0.4As 沟道MOSHEMT与MOSFET器件特性的研究 期刊论文
物理学报, 2012
作者: 卢力; 常虎东; 孙兵; 刘洪刚
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2013/11/01 |
| MOSFET结构及其制作方法 专利
专利号: CN200910244516.X, 申请日期: 2012-08-29, 公开日期: 2011-07-06
作者: 梁擎擎; 骆志炯; 尹海洲; 朱慧珑
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2016/03/18 |
| 高迁移率场效应器件工艺与模型以及低噪声放大电路设计 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2012
作者: 卢力
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2017/10/18 |
