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减小顶栅石墨烯场效应晶体管欧姆接触的方法 专利
专利号: CN201610266868.5, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2016-07-20
作者:  史敬元;  彭松昂;  金智;  张大勇
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采用电子束工艺定义连接孔的方法 专利
专利号: CN201210435742.8, 申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2014-05-14
作者:  李春龙;  贺晓彬;  赵超;  李俊峰;  闫江
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一种MOSFET结构及其制造方法 专利
专利号: CN201310480377.7, 申请日期: 2018-04-03, 公开日期: 2015-04-29
作者:  尹海洲;  李睿;  刘云飞
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一种FinFET及其制造方法 专利
专利号: CN201310479356.3, 申请日期: 2018-01-12, 公开日期: 2015-04-29
作者:  尹海洲;  刘云飞
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半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201310143349.6, 申请日期: 2017-11-03, 公开日期: 2014-10-29
作者:  赵超;  秦长亮;  殷华湘;  李俊峰
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微波用于抑制光刻胶纳米线条倒伏的研究 期刊论文
微电子学, 2017
作者:  夏洋;  景玉鹏;  黄洛俊;  康恒;  程嵩
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无残留光学光刻胶石墨烯FET的制备及原位表征方法 专利
专利号: CN201410763616.4, 申请日期: 2017-07-28, 公开日期: 2015-03-25
作者:  史敬元;  彭松昂;  金智;  张大勇;  王选芸
收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2018/02/07
一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅 专利
专利号: CN201210509428.X, 申请日期: 2017-03-01, 公开日期: 2014-06-11
作者:  闫江;  李春龙;  李俊峰;  赵超
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2018/04/03
半导体结构及其制造方法 专利
专利号: CN201210310953.9, 申请日期: 2016-11-23, 公开日期: 2014-03-12
作者:  杨达;  钟汇才;  梁擎擎;  赵超
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一种深亚微米U型栅槽的制作方法 专利
专利号: CN201410005105.6, 申请日期: 2016-08-17, 公开日期: 2014-04-09
作者:  孔欣;  刘果果;  魏珂;  刘新宇
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