×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
新疆理化技术研究所 [17]
内容类型
期刊论文 [10]
学位论文 [7]
发表日期
2022 [1]
2020 [1]
2019 [1]
2018 [2]
2015 [2]
2014 [5]
更多...
学科主题
Physics [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共17条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:新疆理化技术研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Single event transient effect of frontside and backside illumination image sensors under proton irradiation
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2022, 卷号: 71, 期号: 5, 页码: 1-9
作者:
Fu, J (Fu Jing) [1] , [2] , [3]
;
Cai, YL (Cai Yu-Long) [4]
;
Li, YD (Li Yu-Dong) [1] , [2]
;
Feng, J (Feng Jie) [1] , [2]
;
Wen, L (Wen Lin) [1] , [2]
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2022/06/06
CMOS image sensor
proton irradiation
single event effect
transientbrightspot
Single-Event Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: SET and SEL
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 卷号: 67, 期号: 8, 页码: 1861-1868
作者:
Cai, YL (Cai, Yulong)[ 1,2 ]
;
Wen, L (Wen, Lin)[ 3 ]
;
Li, YD (Li, Yudong)[ 3 ]
;
Guo, Q (Guo, Qi)[ 3 ]
;
Zhou, D (Zhou, Dong)[ 3 ]
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2020/09/09
Complementary metal-oxide-semiconductor
(CMOS) image sensors (CIS)
heavy ions
pulsed laser
single-event latchup (SEL)
single-event transient (SET)
Heavy ion-induced single event effects in active pixel sensor array
期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2019, 卷号: 152, 期号: 2, 页码: 93-99
作者:
Cai, YL (Cai, Yu-Long)[ 1,2,3 ]
;
Guo, Q (Guo, Qi)[ 1,2 ]
;
Li, YD (Li, Yu-Dong)[ 1,2 ]
;
Wen, L (Wen, Lin)[ 1,2 ]
;
Zhou, D (Zhou, Dong)[ 1,2 ]
收藏
  |  
浏览/下载:129/0
  |  
提交时间:2019/01/03
CMOS active pixel sensor (APS)
SEE
Heavy ion
Synergistic effect of total ionizing dose on single event effect induced by pulsed laser microbeam on SiGe heterojunction bipolar transistor
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 1-10
作者:
Zhang, JX (Zhang, Jin-Xin)[ 1 ]
;
Guo, HX (Guo, Hong-Xia)[ 2,3 ]
;
Pan, XY (Pan, Xiao-Yu)[ 3 ]
;
Guo, Q (Guo, Qi)[ 2 ]
;
Zhang, FQ (Zhang, Feng-Qi)[ 3 ]
收藏
  |  
浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2018/11/20
Sige Hbt
Synergistic Effect
Single Event Effects
Total Ionizing Dose
Study of Total-Ionizing-Dose Effects on a Single-Event-Hardened Phase-Locked Loop
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 4, 页码: 997-1004
作者:
Chen, ZJ (Chen, Zhuojun)
;
Ding, D (Ding, Ding)
;
Dong, YM (Dong, Yemin)
;
Shan, Y (Shan, Yi)
;
Zhou, SX (Zhou, Shuxing)
收藏
  |  
浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2018/05/07
Phase-locked Loop (Pll)
Phase Noise
Reference Spur
Total Ionizing Dose (Tid)
SiGe HBT单粒子效应敏感区域分布与加固设计研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:
李培
收藏
  |  
浏览/下载:61/0
  |  
提交时间:2015/06/15
不同结构SiGe HBT
单粒子效应
三维数值模拟仿真
激光微束试验
伪集电极加固
Simulation and sesign of single event effect radiation hardening for SiGe heterojunction bipolar transistor
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 11
作者:
Li, P (Li Pei)
;
Guo, HX (Guo Hong-Xia)
;
Guo, Q (Guo Qi)
;
Wen, L (Wen Lin)
;
Cui, JW (Cui Jiang-Wei)
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2015/07/11
SiGe heterojunction bipolar transistor
single event effect
hardening design
dummy collector
新型非易失存储器电离辐射效应及机理研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2014
作者:
张兴尧
收藏
  |  
浏览/下载:89/0
  |  
提交时间:2014/08/05
新型非易失存储器
传统非易失存储器
总剂量效应
辐射敏感参数
高速深亚微米CMOS模数/数模转换器辐射效应、损伤机理及评估方法研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2014
作者:
吴雪
收藏
  |  
浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2014/08/05
深亚微米
高速模数/数模转换器
辐照偏置条件
总剂量效应
单粒子效应
加速评估方法
Three-dimensional simulation study of bias effect on single event effects of SiGe heterojunction bipolar transistor
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2014, 卷号: 63, 期号: 24
作者:
Zhang, JX (Zhang Jin-Xin)
;
He, CH (He Chao-Hui)
;
Guo, HX (Guo Hong-Xia)
;
Tang, D (Tang Du)
;
Xiong, C (Xiong Cen)
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2018/02/01
Sige Heterojunction Bipolar Transistor
Different Bias
Single Event Effect
3d Numerical Simulation
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace