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Radiation Effects and Mechanisms on Switching Characteristics of Silicon Carbide Power MOSFETs 期刊论文
JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS, 2021, 卷号: 16, 期号: 9, 页码: 1423-1429
作者:  Feng, HN (Feng, Haonan) [1] , [2] , [3]
收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2022/03/24
静态随机存储器总剂量辐射损伤机制及试验方法研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:  郑齐文
收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2015/06/15
典型运放、比较器的电离和位移损伤的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:  姜柯
收藏  |  浏览/下载：86/0  |  提交时间：2015/06/15
SiGe HBT单粒子效应敏感区域分布与加固设计研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:  李培
收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2015/06/15
3-D simulation of angled strike heavy-ion induced charge collection in silicon- germanium heterojunction bipolar transistors 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2014, 卷号: 35, 期号: 4
作者:  Jinxin, Zhang;  Hongxia, Guo;  Lin, Wen;  Qi, Guo;  Jiangwei, Cui
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2014/11/11
SiGe HBT单粒子效应损伤机理研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2013
作者:  张晋新
收藏  |  浏览/下载：126/0  |  提交时间：2013/06/03
基于新型双极测试结构的低剂量率辐照感生缺陷研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2013
作者:  席善斌
收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2013/05/31
research on the total dose irradiation effect of partial-depletion-silicon-on insulator static random access memory 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 10, 页码: -
作者:  Li Ming;  Yu Xue-Feng;  Xue Yao-Guo;  Lu Jian;  Cui Jiang-Wei
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/11/29
国产PD CMOS/SOI器件和电路的辐照损伤效应及机理研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2008
作者:  王改丽
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2014/10/13
MOS结构热载子注入与总剂量辐照响应的相关性 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 1975-1978
作者:  余学峰;  任迪远;  艾尔肯;  张国强;  陆妩
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/11/29

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