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新疆理化技术研究所 [20]
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专题:新疆理化技术研究所
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Research on attitude measurement precision of star sensor influenced by space radiation damage
会议论文
Beijing, PEOPLES R CHINA, DEC 03-05, 2019
作者:
Feng, J (Feng Jie)
;
Li, YD (Li Yudong)
;
Guo, Q (Guo Qi)
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2021/08/25
CCD image sensor
CMOS image sensor
performance degradation
radiation damage
star sensor
Radiation Effects Due to 3 MeV Proton Irradiations on Back-Side Illuminated CMOS Image Sensors
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 35, 期号: 7, 页码: 1-4
作者:
Zhang, X (Zhang, Xiang)
;
Li, YD (Li, Yu-Dong)
;
Wen, L (Wen, Lin)
;
Zhou, D (Zhou, Dong)
;
Feng, J (Feng, Jie)
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2018/08/14
3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:
汪波
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浏览/下载:193/0
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提交时间:2016/09/27
CMOS图像传感器
钳位光电二极管
电离总剂量效应
位移损伤效应
抗辐射加固
60Co-γ射线和电子束对CCD辐射效应的比较研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:
武大猷
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2016/09/27
电荷耦合器件
60Co-γ辐照
电子辐照
辐射损伤
低剂量率损伤增强效应
CMOS图像传感器辐射效应的测试技术
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:
王帆
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2016/09/27
CMOS图像传感器
测试方法
辐射效应
电离总剂量效应
位移损伤效应
RTS噪声
CCD空间累积辐射效应及损伤机理研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:
文林
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浏览/下载:111/0
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提交时间:2015/06/15
电荷耦合器件
电离总剂量效应
位移效应
损伤机理
敏感参数
基本单元
静态随机存储器总剂量辐射损伤机制及试验方法研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:
郑齐文
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2015/06/15
大规模集成电路
总剂量辐射
静态随机存储器
损伤机制
试验方法
典型运放、比较器的电离和位移损伤的研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:
姜柯
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浏览/下载:86/0
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提交时间:2015/06/15
60Coγ辐照源
质子辐射
电子辐射
中子辐射
双极器件
辐射效应
Effects of proton and neutron irradiation on dark signal of charge-coupled device
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 19
作者:
Zeng, JZ (Zeng Jun-Zhe)
;
Li, YD (Li Yu-Dong)
;
Wen, L (Wen Lin)
;
He, CF (He Cheng-Fa)
;
Guo, Q (Guo Qi)
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2018/01/24
Charge Coupled Devices
Proton Irradiation
Neutron Irradiation
Transport Simulation
微纳大规模集成电路SRAM的总剂量辐射损伤机理及评估方法研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2014
作者:
丛忠超
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2014/09/02
SRAM
测试系统
辐照偏置
静态功耗电流
失效模式
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