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新疆理化技术研究所 [22]

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	1/f Noise responses of Ultra-Thin Body and Buried oxide FD-SOI PMOSFETs under total ionizing dose irradiation 期刊论文 RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2022, 卷号: 176, 期号: 11-12, 页码: 1202-1214 作者: Zhang, RQ (Zhang, Ruiqin) [1] , [2] , [3]; Zheng, QW (Zheng, Qiwen) [1] , [2]; Lu, W (Lu, Wu) [1] , [2]; Cui, JW (Cui, Jiangwei) [1] , [2]; Li, YD (Li, Yudong) [1] , [2] 收藏 \| 浏览/下载：21/0 \| 提交时间：2022/04/07 Total ionizing dose irradiation UTBB FD-SOI 1 f noise
	Experimental investigation on total-ionizing-dose radiation effects on the electrical properties of SOI-LIGBT 期刊论文 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2021, 卷号: 175, 期号: 1, 页码: 1-7 作者: Yang, GG (Yang, Guangan)[ 1 ]; Wu, WR (Wu, Wangran)[ 1 ]; Zhang, XY (Zhang, Xingyao)[ 2 ]; Tang, PY (Tang, Pengyu)[ 1 ]; Yang, J (Yang, Jing)[ 1 ] 收藏 \| 浏览/下载：30/0 \| 提交时间：2021/03/15 SOI-LIGBT Total-ionizing-dose Radiation Degradation
	Impact of TID on Within-Wafer Variability of Radiation-Hardened SOI Wafers 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 7, 页码: 1423-1429 作者: Zheng, QW (Zheng, Qiwen) 1; Cui, JW (Cui, Jiangwei) 1; Yu, XF (Yu, Xuefeng) 1; Li, YD (Li, Yudong) 1; Lu, W (Lu, Wu) 1 收藏 \| 浏览/下载：40/0 \| 提交时间：2021/08/06 Radiation-hardened (RH)silicon-on-insulator (SOI)total ionizing dose (TID)within-wafer variability
	Measurement and Evaluation of the Within-Wafer TID Response Variability on BOX Layer of SOI Technology 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 10, 页码: 2516-2523 作者: Zheng, QW (Zheng, Qiwen) 1Cui, JW (Cui, Jiangwei) 1Yu, XF (Yu, Xuefeng) 1; Li, YD (Li, Yudong) 1; Lu, W (Lu, Wu) 1; He, CF (He, Chengfa) 1; Guo, Q (Guo, Qi) 1 收藏 \| 浏览/下载：39/0 \| 提交时间：2021/12/06 Threshold voltage TestingMOSFET circuits Transistors Standards Logic gates Fluctuations Buried oxide (BOX) silicon-on-insulator (SOI) total ionizing dose (TID)
	The influence of channel width on total ionizing dose responses of the 130 nm H-gate partially depleted SOI NMOSFETs 期刊论文 RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2020, 卷号: 175, 期号: 5-6, 页码: 551-558 作者: Xi, SX (Xi, Shan-Xue)[ 1,2,3 ]; Zheng, QW (Zheng, Qi-Wen)[ 1,2 ]; Lu, W (Lu, Wu)[ 1,2 ]; Cui, JW (Cui, Jiang-Wei)[ 1,2 ]; Wei, Y (Wei, Ying)[ 1,2 ] 收藏 \| 浏览/下载：24/0 \| 提交时间：2020/07/06 Total ionizing dose h-shape gate channel width partially depleted
	130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究学位论文中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019 作者: 席善学收藏 \| 浏览/下载：12/0 \| 提交时间：2019/07/15 总剂量效应部分耗尽浅槽隔离模型
	Total Ionizing Dose Responses of Forward Body Bias Ultra-Thin Body and Buried Oxide FD-SOI Transistors 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 702-709 作者: Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ]; Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ]; Xu, LW (Xu, Liewei)[ 2 ]; Ning, BX (Ning, Bingxu)[ 3 ]; Zhao, K (Zhao, Kai)[ 3 ] 收藏 \| 浏览/下载：99/0 \| 提交时间：2019/05/14 Back-gate biasing forward body bias (FBB) total ionizing dose (TID) ultrathin body and buried oxide fully depleted silicon-on-insulator (UTBB FD-SOI)
	体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响期刊论文电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069 作者: 席善学; 陆妩; 郑齐文; 崔江维; 魏莹收藏 \| 浏览/下载：33/0 \| 提交时间：2019/06/21 总剂量效应绝缘体上硅体效应浅沟槽隔离
	基于SOI结构的辐照传感器的辐照响应特性研究期刊论文核技术, 2019, 卷号: 42, 期号: 12, 页码: 47-52 作者: 孙静; 郭旗; 郑齐文; 崔江维; 何承发收藏 \| 浏览/下载：25/0 \| 提交时间：2020/01/03 辐照传感器基于绝缘体上硅P型金属氧化物半导体场效应晶体管剂量计
	体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响期刊论文电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069 作者: 席善学; 陆妩; 郑齐文; 崔江维; 魏莹收藏 \| 浏览/下载：40/0 \| 提交时间：2020/03/19 总剂量效应绝缘体上硅体效应浅沟槽隔离

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