QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 微纳大规模集成电路SRAM的总剂量辐射损伤机理及评估方法研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院大学, 2014 作者:  丛忠超 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2014/09/02 SRAM  测试系统  辐照偏置  静态功耗电流  失效模式   Total dose ionizing irradiation effects on a static random access memory field programmable gate array 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2012, 卷号: 33, 期号: 3 作者:  Gao, Bo;  Yu, Xuefeng;  Ren, Diyuan;  Li, Yudong;  Sun, Jing 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2014/11/11 静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究 期刊论文 物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 3, 页码: 442-447 作者:  高博;  余学峰;  任迪远;  李豫东;  崔江维 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/11/29 60Coγ  总剂量辐射损伤效应  SRAM型FPGA  CMOS单元   Research on the total-dose irradiation damage effect for static random access memory-based field programmable gate array 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 卷号: 60, 期号: 3 作者:  Gao Bo;  Yu Xue-Feng;  Ren Di-Yuan;  Li Yu-Dong;  Cui Jiang-Wei 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/11/29 (60)Co gamma  total-dose irradiation damage effects  SRAM-based FPGA  CMOS cell   Altera SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应 期刊论文 强激光与粒子束, 2010, 卷号: 22, 期号: 11, 页码: 2724-2728 作者:  高博;  余学峰;  任迪远;  王义元;  李豫东 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/11/29 SRAM型FPGA  60Coγ  总剂量辐射损伤效应  退火效应   Altera SRAM型现场可编程门阵列总剂量辐射效应 期刊论文 原子能科学技术, 2009, 卷号: 43, 期号: 12, 页码: 1128-1132 作者:  高博;  余学峰;  任迪远;  王义元;  李鹏伟 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/11/29 SRAM型现场可编程门阵列  60Coγ源  总剂量效应  辐射