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新疆理化技术研究所 [28]
内容类型
学位论文 [15]
期刊论文 [12]
会议论文 [1]
发表日期
2022 [1]
2021 [2]
2019 [4]
2015 [2]
2014 [4]
2013 [4]
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专题:新疆理化技术研究所
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碳化硅VDMOS的静态和动态辐射损伤及其比较
期刊论文
原子能科学技术, 2022, 卷号: 56, 期号: 4, 页码: 767-774
作者:
冯皓楠1,2,3
;
杨圣1,2,3
;
梁晓雯1,2,3
;
张丹1,2,3
;
蒲晓娟1,2,3
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2022/05/06
碳化硅
总剂量效应
静态参数
动态特性
耗尽层
碳化硅功率MOSFET的工作状态对电离辐射损伤特性的影响研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
杨圣
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2021/08/27
SiC功率MOSFET
电离总剂量效应
高功率
开关频率
长期可靠性
不同温度辐照下栅控双极晶体管的总剂量效应参数退化研究(英文)
期刊论文
原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2183-2190
作者:
相传峰1,2
;
李小龙1
;
陆妩1,2
;
王信1
;
刘默寒1
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2022/01/25
温度效应
总剂量效应
界面陷阱电荷
GLPNP双极晶体管
γ辐照下4T CMOS有源像素传感器的满阱容量退化机理
期刊论文
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 64-68
作者:
蔡毓龙
;
李豫东
;
郭旗
;
文林
;
周东
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/09
图像传感器
CMOS
满阱容量
电离总剂量效应
1 MeV电子室温辐照对中波HgCdTe光伏器件暗电流的影响
期刊论文
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 3, 页码: 61-67
作者:
王志铭
;
周东
;
李豫东
;
文林
;
马林东
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/11/18
HgCdTe
光伏器件
暗电流
电子辐照
辐射效应
位移损伤
γ辐照导致中波碲镉汞光伏器件暗电流退化的机理研究
期刊论文
红外与激光工程, 2019, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 192-199
作者:
王志铭
;
周东
;
郭旗
;
李豫东
;
文林
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/11/18
碲镉汞(HgCdTe)光伏器件
红外探测器
辐射效应
γ射线
暗电流
γ辐照导致中波碲镉汞光伏器件暗电流退化的机理研究
期刊论文
红外与激光工程, 2019, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 192-199
作者:
王志铭
;
周东
;
郭旗
;
李豫东
;
文林
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2020/03/19
碲镉汞(HgCdTe)光伏器件
红外探测器
辐射效应
γ射线
暗电流
InGaAs量子阱光电材料的辐射效应研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:
王海娇
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2015/06/15
InGaAs/InP 量子阱
电子辐照
质子辐照
γ 辐照
辐射损伤
光致发
InGaAs量子阱光电材料的辐射损伤效应研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2015
作者:
王海娇
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2015/06/15
Ingaas/inp 量子阱
电子辐照
质子辐照
γ 辐照
辐射损伤
光致发
微纳大规模集成电路SRAM的总剂量辐射损伤机理及评估方法研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2014
作者:
丛忠超
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2014/09/02
SRAM
测试系统
辐照偏置
静态功耗电流
失效模式
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