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宁波材料技术与工程... [16]

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	A comprehensive investigation of MoO3 based resistive random access memory 期刊论文 RSC ADVANCES, 2020, 卷号: 10, 期号: 33, 页码: 19337-19345 作者: Fatheema, Jameela; Shahid, Tauseef; Mohammad, Mohammad Ali; Islam, Amjad; Malik, Fouzia 收藏 \| 浏览/下载：19/0 \| 提交时间：2020/12/16 SWITCHING CHARACTERISTICS NONVOLATILE MEMORY LOW-POWER PERFORMANCE MECHANISMS SUBSTRATE DEVICES RRAM
	Memristive Synapses for Brain-Inspired Computing 期刊论文 ADVANCED MATERIALS TECHNOLOGIES, 2019, 卷号: 4, 期号: 3 作者: Wang, Jingrui; Zhuge, Fei 收藏 \| 浏览/下载：41/0 \| 提交时间：2019/12/18 RESISTIVE-SWITCHING MEMORY MAGNETIC TUNNEL-JUNCTIONS LONG-TERM POTENTIATION PHASE-CHANGE MEMORY RRAM DEVICES SYNAPTIC PLASTICITY CONDUCTANCE LINEARITY ELECTRONIC SYNAPSES IMPLEMENTATION SYSTEM
	Fully Coupled Electrothermal Simulation of Large RRAM Arrays in the "Thermal-House'' 期刊论文 IEEE ACCESS, 2019, 卷号: 7, 页码: 3897-3908 作者: Wang, Da-Wei; Chen, Wenchao; Zhao, Wen-Sheng; Zhu, Guo-Dong; Kang, Kai 收藏 \| 浏览/下载：28/0 \| 提交时间：2019/12/18 RANDOM-ACCESS MEMORY RESISTIVE MEMORY INTEGRATION BEHAVIOR DIAMOND ZN4SB3 MODEL
	Fully Coupled Electrothermal Simulation of Large RRAM Arrays in the "Thermal-House'' 期刊论文 IEEE ACCESS, 2019, 卷号: 7, 页码: 3897-3908 作者: Wang, Da-Wei; Chen, Wenchao; Zhao, Wen-Sheng; Zhu, Guo-Dong; Kang, Kai 收藏 \| 浏览/下载：28/0 \| 提交时间：2019/12/18 RANDOM-ACCESS MEMORY RESISTIVE MEMORY INTEGRATION BEHAVIOR DIAMOND ZN4SB3 MODEL
	Recommended Methods to Study Resistive Switching Devices 期刊论文 ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 卷号: 5, 期号: 1 作者: Lanza, Mario; Wong, H-S Philip; Pop, Eric; Ielmini, Daniele; Strukov, Dimitri 收藏 \| 浏览/下载：95/0 \| 提交时间：2019/12/18 HEXAGONAL BORON-NITRIDE ALIGNED CARBON NANOTUBES SPICE COMPACT MODEL NONVOLATILE MEMORY RRAM DEVICES THIN-FILM DIELECTRIC-BREAKDOWN MEMRISTIVE BEHAVIOR PHYSICAL MODEL NANOSCALE
	Fully Coupled Electrothermal Simulation of Large RRAM Arrays in the "Thermal-House'' 期刊论文 IEEE ACCESS, 2019, 卷号: 7, 页码: 3897-3908 作者: Wang, Da-Wei; Chen, Wenchao; Zhao, Wen-Sheng; Zhu, Guo-Dong; Kang, Kai 收藏 \| 浏览/下载：14/0 \| 提交时间：2019/12/18 RANDOM-ACCESS MEMORY RESISTIVE MEMORY INTEGRATION BEHAVIOR DIAMOND ZN4SB3 MODEL
	Fully Coupled Electrothermal Simulation of Large RRAM Arrays in the "Thermal-House'' 期刊论文 IEEE ACCESS, 2019, 卷号: 7, 页码: 3897-3908 作者: Wang, Da-Wei; Chen, Wenchao; Zhao, Wen-Sheng; Zhu, Guo-Dong; Kang, Kai 收藏 \| 浏览/下载：16/0 \| 提交时间：2019/12/18 RANDOM-ACCESS MEMORY RESISTIVE MEMORY INTEGRATION BEHAVIOR DIAMOND ZN4SB3 MODEL
	Fully Coupled Electrothermal Simulation of Large RRAM Arrays in the "Thermal-House'' 期刊论文 IEEE ACCESS, 2019, 卷号: 7, 页码: 3897-3908 作者: Wang, Da-Wei; Chen, Wenchao; Zhao, Wen-Sheng; Zhu, Guo-Dong; Kang, Kai 收藏 \| 浏览/下载：23/0 \| 提交时间：2019/12/18 RANDOM-ACCESS MEMORY RESISTIVE MEMORY INTEGRATION BEHAVIOR DIAMOND ZN4SB3 MODEL
	Fully Coupled Electrothermal Simulation of Large RRAM Arrays in the "Thermal-House'' 期刊论文 IEEE ACCESS, 2019, 卷号: 7, 页码: 3897-3908 作者: Wang, Da-Wei; Chen, Wenchao; Zhao, Wen-Sheng; Zhu, Guo-Dong; Kang, Kai 收藏 \| 浏览/下载：20/0 \| 提交时间：2019/12/18 RANDOM-ACCESS MEMORY RESISTIVE MEMORY INTEGRATION BEHAVIOR DIAMOND ZN4SB3 MODEL
	Improving Unipolar Resistive Switching Uniformity with Cone Shaped Conducting Filaments and Its Logic-In-Memory Application 期刊论文 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2018, 卷号: 10, 期号: 7, 页码: 6453-6462 作者: Yang, Huali; Liu, Gang; Chen, Qilai; Xue, Wuhong; Shang, Jie 收藏 \| 浏览/下载：66/0 \| 提交时间：2018/12/04 Memristive Devices Boolean Logic Nanofilament Mechanism Realization Challenges Operations Evolution Selector Graphene

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