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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：长春光学精密机械与物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The van der Waals Epitaxy of High-Quality N-Polar Gallium Nitride for High-Response Ultraviolet Photodetectors with Polarization Electric Field Modulation 期刊论文 Advanced Electronic Materials, 2022, 卷号: 8, 期号: 1, 页码: 11 作者:  Y. Chen;  Z. M. Shi;  S. L. Zhang;  J. W. Ben;  K. Jiang 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2022/06/13 Van der Waals Epitaxy of c-Oriented Wurtzite AlGaN on Polycrystalline Mo Substrates for Enhanced Heat Dissipation 期刊论文 Acs Applied Materials & Interfaces, 2022, 卷号: 14, 期号: 33, 页码: 37947-37957 作者:  Y. Chen;  H. Zang;  S. L. Zhang;  Z. M. Shi;  J. W. Ben 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2023/06/14 AlGaN UV Detector with Largely Enhanced Heat Dissipation on Mo Substrate Enabled by van der Waals Epitaxy 期刊论文 2022 作者:  Y. Chen;  H. Zang;  J. Ben;  S. Zhang;  K. Jiang 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2023/06/14 Directed exfoliating and ordered stacking of transition-metal-dichalcogenides 期刊论文 Nanoscale, 2022, 卷号: 14, 期号: 20, 页码: 7484-7492 作者:  Y. S. Li;  X. H. Xie;  B. H. Li;  X. L. Sun;  Y. C. Yang 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2023/06/14 Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy 期刊论文 Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5 作者:  Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2021/07/06 Van der Waals Epitaxy: A new way for growth of III-nitrides 期刊论文 Science China-Technological Sciences, 2019, 卷号: 63, 期号: 3, 页码: 528-530 作者:  Y.Chen;  Y.P.Jia;  Z.M.Shi;  X.J.Sun;  D.B.Li 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/08/24 gan,layer,aln,Engineering,Materials Science   Construction of van der Waals substrates for largely mismatched heteroepitaxy systems using first principles 期刊论文 Science China-Physics Mechanics & Astronomy, 2019, 卷号: 62, 期号: 12, 页码: 7 作者:  Z.M.Shi;  X.J.Sun;  Y.P.Jia;  X.K.Liu;  S.L.Zhang 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/08/24 van der Waals epitaxy,2D materials,first principles,light-emitting-diodes,phase epitaxy growth,algan/gan hemts,boron-nitride,gan,graphene,layer,nanosheets,crystals,semiconductor,Physics