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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 5.3A/400V normally-off AlGaN/GaN-on-Si MOS-HEMT with high threshold voltage and large gate swing 期刊论文 ELECTRONICS LETTERS, 2013, 卷号: 49, 期号: 3, 页码: 221-222 作者:  Cai, Y(蔡勇) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2014/01/08