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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of InGaN/GaN laser degradation based on luminescence properties 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 119, 期号: 21 作者:  Wen, PY(温鹏雁);  Zhang, SM(张书明);  Liu, JP(刘建平);  Li, DY(李德尧);  Zhang, LQ(张立群) 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2017/03/11 Emission efficiency enhanced by reducing the concentration of residual carbon impurities in InGaN/GaN multiple quantum well light emitting diodes 期刊论文 OPTICS EXPRESS, 2016, 卷号: 24, 期号: 13 作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/03/11 Shockley-Read-Hall recombination and efficiency droop in InGaN/GaN multiple-quantum-well green light-emitting diodes 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 49, 期号: 14 作者:  Liu, W;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2017/03/11 Non-Radiative Carrier Recombination Enhanced by Two-Level Process: A First-Principles Study 期刊论文 SCIENTIFIC REPORTS, 2016, 卷号: 6 作者:  Yang, JH;  Shi, L(石林);  Wang, LW;  Wei, SH 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2017/03/11 Temperature dependence of photoluminescence spectra for green light emission from InGaN/GaN multiple wells 期刊论文 OPTICS EXPRESS, 2015, 卷号: 23, 期号: 12, 页码: 9 作者:  Liu, W;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2015/12/31 Identification of degradation mechanisms of blue InGaN/GaN laser diodes 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2015, 卷号: 48, 期号: 41, 页码: 4 作者:  Wen, PY(温鹏雁);  Zhang, SM(张书明);  Li, DY(李德尧);  Liu, JP(刘建平);  Zhang, LQ(张立群) 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2015/12/31 InGaN/GaN laser diode  degradation mechanism  optical characteristic   Study on photoluminescence properties of 1.05 eV InGaAsP layers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 17, 页码: 7 作者:  Yang, WX(杨文献);  Ji, L(季莲);  Dai, P(代盼);  Tan, M(谭明);  Wu, YY(吴渊源) 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2015/12/31 InGaAsP  molecular beam epitaxy  photoluminescence  carrier luminescence relaxation time   High efficient GaN-based laser diodes with tunnel junction 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 103, 期号: 4 作者:  Li, DY(李德尧);  Zhang, SM(张书明);  Liu, JP(刘建平);  Zhang, LQ(张立群);  Sun, Q(孙钱) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2014/01/13