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苏州纳米技术与纳米仿... [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2017 [1]
2016 [1]
2015 [1]
2012 [1]
2010 [1]
2009 [1]
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专题:苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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Comparative study on the InGaN multiple-quantum-well solar cells assisted by capacitance-voltage measurement with additional laser illumination
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017
作者:
Liu, Wei
;
Zhao, Degang
;
Jiang, Desheng
;
Chen, Ping
;
Shi, Dongping
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2018/02/05
Emission efficiency enhanced by introduction of the homogeneous localization states in InGaN/GaN multiple quantum well LEDs
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 681
作者:
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Zhu, JJ
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2017/03/11
Localization effect in green light emitting InGaN/GaN multiple quantum wells with varying well thickness
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2015, 卷号: 625, 页码: 5
作者:
Liu, W
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Liu, ZS
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2015/12/31
Nitride materials
Crystal growth
Photoluminescence
Multiple quantum wells
Localization states
Green light
Effect of In incorporation parameters on the electroluminescence of blue-violet InGaN/GaN multiple quantum wells grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2012, 卷号: 540, 期号: 11, 页码: 46-48
作者:
Hui Yang (杨辉)
;
S.M. Zhang(张书明)
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2013/01/22
Nitride materials
Crystal growth
X-ray diffraction
An experimental study about the influence of well thickness on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2010, 卷号: 489, 期号: 2, 页码: 461-464
作者:
Yang H (杨辉)
;
Zhang SM
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/03/15
Nitride materials
Crystal growth
X-ray diffraction
Confinement factor and absorption loss of AlInGaN based laser diodes emitting from ultraviolet to green
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 105, 期号: 2
作者:
Zhang LQ
;
Yang H(杨辉)
;
Zhang LQ
;
Zhang SM
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/01/15
aluminium compounds
claddings
gallium compounds
III-V semiconductors
indium compounds
quantum well lasers
refractive index
waveguide lasers
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