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科研机构
金属研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2003 [2]
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Microdefects and electrical uniformity of InP annealed in phosphorus and iron phosphide ambiances
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 1-7
作者:
Dong, ZY
;
Zhao, YW
;
Zeng, YP
;
Duan, ML
;
Sun, WR
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annealing
defects
etching
semiconducting indium phosphide
Influence of semi-insulating InP substrates on InAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 364-369
作者:
Dong, HW
;
Zhao, YW
;
Zeng, YP
;
Jiao, JH
;
Li, JM
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diffusion
interfaces
substrates
molecular beam epitaxy
phosphides
semiconducting indium phosphide
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