QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：金属研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Energetics of the growth mode transition in InAs/GaAs(001) small quantum dot formation: A first-principles study 期刊论文 Surface Science, 2006, 卷号: 600, 期号: 10, 页码: 2007-2010 E. Z. Liu; C. Y. Wang 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/04/13 density-functional calculations  gallium arsenide  indium arsenide  growth mode transition  surface thermodynamics  augmented-wave method  ab-initio  ge   Patterned nanoclusters in the indium-doped SrTiO3 films 期刊论文 Applied Physics Letters, 2004, 卷号: 85, 期号: 24, 页码: 5899-5901 M. Zhang; X. L. Ma; D. X. Li; H. B. Lu; Z. H. Chen; G. Z. Yang 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/04/14 quantum dots  thin-films  growth  nanocrystals  islands  epitaxy  gaas  ge   Increasing the photoluminescence intensity of Ge islands by chemical etching 期刊论文 CHINESE PHYSICS, 2001, 卷号: 10, 期号: 10, 页码: 966-969 作者:  Gao, F;  Huang, CJ;  Huang, DD;  Li, JP;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2021/02/02 Ge islands  chemical etching  photoluminescence  Si2H6-Ge molecular beam epitaxy   Increasing the photoluminescence intensity of Ge islands by chemical etching 期刊论文 CHINESE PHYSICS, 2001, 卷号: 10, 期号: 10, 页码: 966-969 作者:  Gao, F;  Huang, CJ;  Huang, DD;  Li, JP;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2021/02/02 Ge islands  chemical etching  photoluminescence  Si2H6-Ge molecular beam epitaxy   Changing the size and shape of Ge island by chemical etching 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2001, 卷号: 231, 期号: 1-2, 页码: 17-21 作者:  Gao, F;  Huang, CJ;  Huang, DD;  Li, JP;  Sun, DZ 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2021/02/02 atomic force microscopy  etching  nanostructures  molecular beam epitaxy  semiconducting germanium  semiconducting silicon   Effect of Si overgrowth on the structural and luminescence properties of Ge islands on Si(100) 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1999, 卷号: 207, 期号: 1-2, 页码: 150-153 作者:  Liu, JP;  Wang, JZ;  Huang, DD;  Li, JP;  Sun, DZ 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2021/02/02 Evolution of height distribution of Ge islands on Si(1 0 0) 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 617-620 作者:  Liu, JP;  Gong, Q;  Huang, DD;  Li, JP;  Sun, DZ 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2021/02/02 Ge islands  Ge films  bimodal distribution  Ehrlich-Schwoebel barriers