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	Preserving stable 100% spin polarization at (111) heterostructures of half-metallic Heusler alloy Co2VGa with semiconductor PbS 期刊论文 Journal of Applied Physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 8 H. P. Han; W. Q. Hu; G. Y. Gao; K. L. Yao 收藏 \| 浏览/下载：14/0 \| 提交时间：2013/02/05 magnetic-properties growth films gaas
	Growth and annealing of zinc-blende CdSe thin films on GaAs (001) by molecular beam epitaxy 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2011, 卷号: 257, 期号: 21, 页码: 9038-9043 作者: Yang, Qiumin; Zhao, Jie; Guan, Min; Liu, Chao; Cui, Lijie 收藏 \| 浏览/下载：14/0 \| 提交时间：2021/02/02 CdSe Molecular beam epitaxy Reflection high energy electron diffraction X-ray diffraction Atomic force microscopy
	Growth and annealing of zinc-blende CdSe thin films on GaAs (001) by molecular beam epitaxy 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2011, 卷号: 257, 期号: 21, 页码: 9038-9043 作者: Yang, Qiumin; Zhao, Jie; Guan, Min; Liu, Chao; Cui, Lijie 收藏 \| 浏览/下载：38/0 \| 提交时间：2021/02/02 CdSe Molecular beam epitaxy Reflection high energy electron diffraction X-ray diffraction Atomic force microscopy
	Fabrication of uniform Ge-nanocrystals embedded in amorphous SiO(2) films using Ge-ion implantation and neutron irradiation methods 期刊论文 Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 7 Q. Chen; T. Lu; M. Xu; C. Meng; Y. Hu; K. Sun; I. Shlimak 收藏 \| 浏览/下载：18/0 \| 提交时间：2012/04/13 transmutation-doped gaas electrical-properties misfit dislocations lasers go silicon films
	Optimization of VI/II pressure ratio in ZnTe growth on GaAs(001) by molecular beam epitaxy 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2010, 卷号: 256, 期号: 22, 页码: 6881-6886 作者: Zhao, Jie; Zeng, Yiping; Liu, Chao; Cui, Lijie; Li, Yanbo 收藏 \| 浏览/下载：5/0 \| 提交时间：2021/02/02 ZnTe Molecular beam epitaxy Reflection high-energy electron diffraction X-ray diffraction Atomic force microscopy
	Substrate temperature dependence of ZnTe epilayers grown on GaAs(001) by molecular beam epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2010, 卷号: 312, 期号: 9, 页码: 1491-1495 作者: Zhao, Jie; Zeng, Yiping; Liu, Chao; Li, Yanbo 收藏 \| 浏览/下载：63/0 \| 提交时间：2021/02/02 Reflection high-energy electron diffraction Atomic force microscopy Molecular beam epitaxy Zinc compounds Semiconducting II-VI materials
	The Raman spectroscopy of neutron transmutation doping isotope (74)Germanium nanocrystals embedded in SiO2 matrix 期刊论文 Solid State Communications, 2007, 卷号: 141, 期号: 9, 页码: 514-518 Y. W. Hu; T. C. Lu; S. B. Dun; Q. Hu; N. K. Huang; S. B. Zhang; B. Tang; J. L. Dai; L. Resnick; I. Shlimak; S. Zhu; Q. M. Wei; L. M. Wang 收藏 \| 浏览/下载：13/0 \| 提交时间：2012/04/13 isotope Ge nanocrystals transmuted impurities laser Raman scattering neutron transmutation doping visible photoluminescence semiinsulating gaas hopping conduction thin-films scattering germanium sio2-films plasmons phonons growth
	Hysteresis dispersion scaling of a two-dimensional ferroelectric model 期刊论文 Journal of Applied Physics, 2005, 卷号: 98, 期号: 6 L. F. Wang; J. M. Liu 收藏 \| 浏览/下载：10/0 \| 提交时间：2012/04/14 monte-carlo-simulation kinetic ising-model magnetic hysteresis epitaxial fe/gaas(001) relaxor ferroelectrics dynamic hysteresis phase-transition spin systems thin-films field
	Patterned nanoclusters in the indium-doped SrTiO3 films 期刊论文 Applied Physics Letters, 2004, 卷号: 85, 期号: 24, 页码: 5899-5901 M. Zhang; X. L. Ma; D. X. Li; H. B. Lu; Z. H. Chen; G. Z. Yang 收藏 \| 浏览/下载：8/0 \| 提交时间：2012/04/14 quantum dots thin-films growth nanocrystals islands epitaxy gaas ge
	Gamma-ray irradiation effects on Fourier transform infrared grazing incidence reflection-absorption spectra of GaN films 期刊论文 Journal of Physics-Condensed Matter, 2001, 卷号: 13, 期号: 26, 页码: 5931-5936 W. H. Sun; J. C. Zhang; L. Dai; K. M. Chen; G. G. Qin 收藏 \| 浏览/下载：7/0 \| 提交时间：2012/04/14 local vibrational-modes hydrogen gaas defects

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