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The effect of oxygen vacancy on switching mechanism of ZnO resistive switching memory 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 卷号: 110, 期号: 1-7
作者:  Hu, C;  Wang, Q;  Bai, S;  Xu, M;  He, DY
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Facile Synthesis of Co9Se8 Quantum Dots as Charge Traps for Flexible Organic Resistive Switching Memory Device 期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2016, 卷号: 8, 期号: 2-13, 页码: 30336-30343
作者:  Zhang, P;  Xu, BH;  Gao, CX;  Chen, GL;  Gao, MZ
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Self-compliance multilevel storage characteristic in HfO2-based device 期刊论文
Chinese Physics B, 2016, 卷号: 25, 期号: 10, 页码: 106102-1-106102-3
作者:  Gao, Xiao-Ping;  Fu, Li-Ping;  Chen, Chuan-Bing;  Yuan, Peng;  Li, Ying-Tao
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/01/12
Metal/ZnO/MgO/Si/Metal Write-Once-Read-Many-Times Memory 期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2016, 卷号: 63, 期号: 9, 页码: 3508-3513
作者:  Zhang, Bosen;  Hu, Cong;  Ren, Tianshuang;  Wang, Bo;  Qi, Jing
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Nonvolatile Bipolar Resistive Switching Behavior in the Perovskite-like (CH3NH3)(2)FeCl4 期刊论文
ACS Applied Materials & Interfaces, 2016, 卷号: 8, 期号: 29, 页码: 18985-18990
作者:  Lv, FZ;  Gao, CX;  Zhou, HA;  Zhang, P;  Mi, K
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Structural Phase Transition Effect on Resistive Switching Behavior of MoS2-Polyvinylpyrrolidone Nanocomposites Films for Flexible Memory Devices 期刊论文
SMALL, 2016, 卷号: 12, 期号: 15, 页码: 2077-2084
作者:  Zhang, P;  Gao, CX;  Xu, BH;  Qi, L;  Jiang, CJ
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Voltage-Controlled Bistable Resistive Switching Behavior Based on Ni0.5Zn0.5Fe2O4/BiFeO3/Nb:SrTiO3 Heterostructures 期刊论文
SCIENCE OF ADVANCED MATERIALS, 2016, 卷号: 8, 期号: 4, 页码: 712-717
作者:  Wu, L;  Dong, CH;  Zhang, C;  Jiang, CJ;  Xue, DS
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Tri-state bipolar resistive switching behavior in a hydrothermally prepared epitaxial BiFeO3 film 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2015, 卷号: 649, 页码: 694-698
作者:  Gao, CX;  Lv, FZ;  Zhang, P;  Zhang, C;  Zhang, SM
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Multiferroic and multilevel resistive switching properties of LaFeO3-PbTiO3 films grown on Nb:SrTiO3 (001) substrate 会议论文
作者:  Gao, CX;  Zhang, P;  Zhang, C;  Dong, CH;  Jiang, CJ
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/01/20
Coexistence of diode-like volatile and multilevel nonvolatile resistive switching in a ZrO2/TiO2 stack structure 期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2015, 卷号: 26, 期号: 39
作者:  Li, YT;  Yuan, P;  Fu, LP;  Li, RR;  Gao, XP
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