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Self-compliance multilevel storage characteristic in HfO2-based device 期刊论文
Chinese Physics B, 2016, 卷号: 25, 期号: 10, 页码: 106102-1-106102-3
作者:  Gao, Xiao-Ping;  Fu, Li-Ping;  Chen, Chuan-Bing;  Yuan, Peng;  Li, Ying-Tao
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Metal/ZnO/MgO/Si/Metal Write-Once-Read-Many-Times Memory 期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2016, 卷号: 63, 期号: 9, 页码: 3508-3513
作者:  Zhang, Bosen;  Hu, Cong;  Ren, Tianshuang;  Wang, Bo;  Qi, Jing
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2017/01/13
Physical model for electroforming process in valence change resistive random access memory 期刊论文
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS, 2015, 卷号: 14, 期号: 1, 页码: 146-150
作者:  Sun, PX;  Li, L;  Lu, ND;  Lv, HB;  Liu, M
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2016/10/21
The resistive switching memory of CoFe2O4 thin film using nanoporous alumina template 期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2014, 卷号: 9
作者:  Jiang, CJ;  Wu, L;  Wei, WW;  Dong, CH;  Yao, JL
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2016/03/29
Feasibility of Schottky diode as selector for bipolar-type resistive random access memory applications 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 104, 期号: 13, 页码: -
作者:  Li, YT;  Gong, QC;  Jiang, XY
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Novel self-compliance Bipolar 1D1R memory device for high-density RRAM application 会议论文
2013 5th IEEE International Memory Workshop, IMW 2013, Monterey, CA, United states, May 26, 2013 - May 29, 2013
作者:  Li, Y.T.;  Long, S.B.;  Lv, H.B.;  Liu, Q.;  Wang, M.
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Improving the electrical performance of resistive switching memory using doping technology 期刊论文
CHINESE SCIENCE BULLETIN, 2012, 卷号: 57, 期号: 11, 页码: 1235-1240
作者:  Wang, Y;  Liu, Q;  Lu, HB;  Long, SB;  Wang, W
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/05/25
An overview of resistive random access memory devices 期刊论文
CHINESE SCIENCE BULLETIN, 2011, 卷号: 56, 期号: 28-29, 页码: 3072-3078
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收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/05/25
Reset Instability in Cu/ZrO2:Cu/Pt RRAM Device 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2011, 卷号: 32, 期号: 3, 页码: 363-365
作者:  Li, YT;  Long, SB;  Lv, HB;  Liu, Q;  Wang, W
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/05/25
Investigation of resistive switching behaviours in WO3-based RRAM devices 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: -
作者:  Li, YT;  Long, SB;  Lu, HB;  Liu, Q;  Wang, Q
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/05/25

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