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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The correlation of epitaxial graphene properties and morphology of SiC (0001) 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 115, 期号: 4 Guo, Y; Guo, LW; Huang, J; Yang, R; Jia, YP; Lin, JJ; Lu, W; Li, ZL; Chen, XL 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2015/04/14 Characterizations and formation mechanism of a new type of defect related to nitrogen doping in SiC crystals 期刊论文 APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2014, 卷号: 117, 期号: 3, 页码: 1563 Wang, B; Peng, TH; Liang, JK; Wang, G; Wang, WJ; Zhao, HZ; Chen, XL 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2015/04/14 Structural and magnetic changes in MgO-based magnetic tunneling junctions during the early stages of annealing 期刊论文 JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 2010, 卷号: 322, 期号: 6, 页码: 756 Anderson, GIR; Wei, HX; Porter, NA; Arena, DA; Dvorak, J; Han, XF; Marrows, CH 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/09/24 ROOM-TEMPERATURE  MAGNETORESISTANCE  SCATTERING  ASYMMETRY  FILMS   Fabrication of straight waveguide in two-dimensional photonic crystal slab and its light propagation characteristics 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2005, 卷号: 54, 期号: 12, 页码: 5659 Han, SZ; Tian, J; Feng, S; Ren, C; Li, ZY; Chen, BY; Zhang, DZ 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/17 CHANNEL DROP FILTER  HIGH TRANSMISSION  POINT-DEFECTS  Y-SPLITTER  BANDWIDTH  REGION  BENDS   Effects of forming cavities on the lattice quality and carrier profile in the B doped silicon 期刊论文 MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 2000, 卷号: 72, 期号: 2-3, 页码: 142 Wang, SB; Zhu, PR 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/09/17 ION-IMPLANTED SILICON  BORON-DIFFUSION  DEFECTS   Effect of thermal annealing on the microstructure of ytterbium-implanted silicon wafers 期刊论文 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 1997, 卷号: 32, 期号: 24, 页码: 6665 Yang, Y; Chen, H; Zhou, YQ; Li, FH 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2013/09/17 AMORPHOUS-SILICON  CRYSTAL SILICON  ERBIUM  INSULATOR  EPITAXY  GAAS  INP