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物理研究所 [137]
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Vortex pinning properties in co-doped bafe2as2 thin films with a high critical current density over 2 ma cm?2 at 9 t
期刊论文
Superconductor science and technology, 2016, 卷号: 30, 期号: 2
作者:
Yuan,Pusheng
;
Xu,Zhongtang
;
Wang,Dongliang
;
Zhang,Ming
;
Li,Jianqi
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2019/05/09
Iron-based superconductors
Critical current density
Co-doped bafe2as2
Film
Influence of defects in SiC (0001) on epitaxial graphene
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2014, 卷号: 23, 期号: 8
Guo, Y
;
Guo, LW
;
Lu, W
;
Huang, J
;
Jia, YP
;
Sun, W
;
Li, ZL
;
Wang, YF
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2015/04/14
graphene
silicon carbide
defect
Enhancing the quantum efficiency of InGaN yellow-green light-emitting diodes by growth interruption
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 105, 期号: 7
Du, CH
;
Ma, ZG
;
Zhou, JM
;
Lu, TP
;
Jiang, Y
;
Zuo, P
;
Jia, HQ
;
Chen, H
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2015/04/14
The correlation of epitaxial graphene properties and morphology of SiC (0001)
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 115, 期号: 4
Guo, Y
;
Guo, LW
;
Huang, J
;
Yang, R
;
Jia, YP
;
Lin, JJ
;
Lu, W
;
Li, ZL
;
Chen, XL
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2015/04/14
Epitaxial growth of large-area bilayer graphene on Ru(0001)
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 104, 期号: 9
Que, YD
;
Xiao, WD
;
Fei, XM
;
Chen, H
;
Huang, L
;
Du, SX
;
Gao, HJ
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2015/04/14
Step flow and polytype transformation in growth of 4H-SiC crystals
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2014, 卷号: 394, 页码: 126
Liu, CJ
;
Chen, XL
;
Peng, TH
;
Wang, B
;
Wang, WJ
;
Wang, G
收藏
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浏览/下载:223/0
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提交时间:2015/04/14
Surface structure
Polytype transformation
Single crystal growth
Silicon carbide
Semiconducting materials
Characterizations and formation mechanism of a new type of defect related to nitrogen doping in SiC crystals
期刊论文
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2014, 卷号: 117, 期号: 3, 页码: 1563
Wang, B
;
Peng, TH
;
Liang, JK
;
Wang, G
;
Wang, WJ
;
Zhao, HZ
;
Chen, XL
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2015/04/14
Raman Spectrum of Epitaxial Graphene Grown on Ion Beam Illuminated 6H-SiC (0001)
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 31, 期号: 11
Zhou, Z
;
Hu, Y
;
Shan, XY
;
Lu, XH
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2015/04/14
In situ Raman spectroscopy of LiFePO4: size and morphology dependence during charge and self-discharge
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2013, 卷号: 24, 期号: 42
Wu, J
;
Dathar, GKP
;
Sun, CW
;
Theivanayagam, MG
;
Applestone, D
;
Dylla, AG
;
Manthiram, A
;
Henkelman, G
;
Goodenough, JB
;
Stevenson, KJ
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2014/01/16
Influence of Si doping on the structural and optical properties of InGaN epilayers
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22, 期号: 10
Lu, PY
;
Ma, ZG
;
Su, SC
;
Zhang, L
;
Chen, H
;
Jia, HQ
;
Jiang, Y
;
Qian, WN
;
Wang, G
;
Lu, TP
;
He, M
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2014/01/16
Si doping
InGaN
V-shaped defect
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