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物理研究所 [6]
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The influence of pressure on the growth of a-plane GaN on r-plane sapphire substrates by MOCVD
期刊论文
SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2011, 卷号: 54, 期号: 3, 页码: 446
He, T
;
Li, H
;
Dai, LG
;
Wang, XL
;
Chen, Y
;
Ma, ZG
;
Xu, PQ
;
Jiang, Y
;
Wang, L
;
Jia, HQ
;
Wang, WX
;
Chen, H
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提交时间:2013/09/23
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
QUANTUM-WELLS
PHOTOLUMINESCENCE
NITRIDE
FIELDS
LAYERS
Mechanical Deformation Behavior of Nonpolar GaN Thick Films by Berkovich Nanoindentation
期刊论文
NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2009, 卷号: 4, 期号: 7, 页码: 753
Wei, TB
;
Hu, Q
;
Duan, RF
;
Wang, JX
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Yang, Y
;
Liu, YL
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提交时间:2013/09/18
PLASTIC PROPERTIES
PLANE SAPPHIRE
INDENTATION
Anisotropy of a-plane GaN grown on r-plane sapphire by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2004, 卷号: 265, 期号: 1-2, 页码: 107
Li, DS
;
Chen, H
;
Yu, HB
;
Zheng, XH
;
Huang, Q
;
Zhou, JM
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提交时间:2013/09/17
LATERAL OVERGROWTH
FILMS
Optical properties of boron-doped Si nanowires
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2004, 卷号: 265, 期号: 1-2, 页码: 94
Zeng, XB
;
Liao, XB
;
Wang, B
;
Dai, ST
;
Xu, YY
;
Xiang, XB
;
Hu, ZH
;
Diao, HW
;
Kong, GL
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提交时间:2013/09/24
SILICON NANOWIRES
POROUS SILICON
VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE
AMORPHOUS-SILICON
RAMAN
SPECTROSCOPY
NANOSTRUCTURES
EMISSION
GROWTH
FILMS
Growth of a-plane GaN films on r-plane sapphire substrates by metalorganic chemical vapour deposition
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 970
Li, DS
;
Chen, H
;
Yu, HB
;
Zheng, XH
;
Huang, Q
;
Zhou, JM
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提交时间:2013/09/17
LATERAL OVERGROWTH
Effects of carrier gas on the stress of a-plane GaN films grown on r-plane sapphire substrates by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2004, 卷号: 263, 期号: 1-4, 页码: 76
Li, DS
;
Chen, H
;
Yu, HB
;
Han, YJ
;
Zheng, XH
;
Huang, Q
;
Zhou, JM
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提交时间:2013/09/17
PHOTOLUMINESCENCE
OVERGROWTH
LAYERS
RAMAN
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