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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High-resolution X-ray diffraction analysis of InN films grown by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文 POWDER DIFFRACTION, 2007, 卷号: 22, 期号: 3, 页码: 219 Wang, WJ; Sugita, K; Nagai, Y; Houchin, Y; Hashimoto, A; Yamamoto, A 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2013/09/17 Alloy compositional fluctuation in InAlGaN epitaxial films 期刊论文 APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2005, 卷号: 80, 期号: 3, 页码: 649 Li, DB; Dong, X; Huang, J; Liu, X; Xu, Z; Zhang, Z; Wang, Z 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/09/17 MULTIPLE-QUANTUM WELLS  ALINGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  OPTICAL-PROPERTIES  QUATERNARY ALLOYS  MOLECULAR-BEAM  GROWTH  INXALYGA1-X-YN   The growth and characterization of GaN grown on an Al2O3 coated (001)Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 484 Wang, LS; Liu, XL; Zan, YD; Wang, D; Lu, DC; Wang, ZG; Wang, YT; Cheng, LS; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/09/23 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SINGLE CRYSTALLINE GAN  HIGH-QUALITY GAN  INTERMEDIATE LAYER  BUFFER LAYERS  SI  FILMS  ALN  DEPOSITION  SAPPHIRE   Microstructure evolution of GaN buffer layer on MgAl2O4 substrate 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 478 Yang, HF; Han, PD; Cheng, LS; Zhang, Z; Duan, SK; Teng, XG 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2013/09/18 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  LASER-DIODES  GROWN GAN  FILMS  SAPPHIRE  NITRIDE  DEFECTS   MOVPE growth of GaN and LED on (111) MgAl2O4 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1998, 卷号: 189, 页码: 197 Duan, SK; Teng, XG; Wang, YT; Li, GH; Jiang, HX; Han, P; Lu, DC 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/09/18 DIODES   Optical studies of ZnSe-ZnS stain layer superlattices grown on sapphire by MOVPE 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1996, 卷号: 159, 期号: 1-4, 页码: 1171 Liao, QW; Fan, XW; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2013/09/24 X-RAY-SCATTERING AND TOPOGRAPHY STUDIES OF HG1-XMNXTE EPITAXIAL-FILMS 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 1993, 卷号: 26, 期号: 4A, 页码: A161 HALLAM, TD; HALDER, SK; HUDSON, JM; LI, CR; FUNAKI, M; LEWIS, JE; BRINKMAN, AW; TANNER, BK 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/09/23 HETEROEPITAXIAL GROWTH  GAAS  MOVPE  CDXHG1-XTE/CDTE  DIFFRACTION  SI   2ND THRESHOLD, SWITCHING AND SHARP CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS OF RB0.30MOO3 AT 77K 期刊论文 SOLID STATE COMMUNICATIONS, 1993, 卷号: 85, 期号: 2, 页码: 121 WANG, XM; ZHANG, DL 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/09/17 CHARGE-DENSITY WAVES  BLUE BRONZE  CONDUCTIVITY  POLARIZATION  K0.3MOO3  DYNAMICS   THE MOVPE GROWTH AND CHARACTERIZATION OF HG1-XMNXTE 期刊论文 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 1993, 卷号: 8, 期号: 1, 页码: S200 FUNAKI, M; LEWIS, JE; HALLAM, TD; LI, CR; HALDER, SK; BRINKMAN, AW; TANNER, BK 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/09/23 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  MIXED-CRYSTALS  MANGANESE  TELLURIDE