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物理研究所 [14]
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期刊论文 [14]
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2013 [1]
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2007 [3]
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MBE growth of high absorption mid-IR type-II InAs/GaSb superlattices
期刊论文
CHINESE SCIENCE BULLETIN, 2014, 卷号: 59, 期号: 20, 页码: 2383
Wang, G
;
Wang, L
;
Chen, H
;
Wang, WX
;
Shi, ZW
;
Chen, YL
;
He, M
;
Lu, PY
;
Qian, WN
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2015/04/14
InAs/GaSb superlatices
High absorption
Molecular beam epitaxy
Influence of Si doping on the structural and optical properties of InGaN epilayers
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22, 期号: 10
Lu, PY
;
Ma, ZG
;
Su, SC
;
Zhang, L
;
Chen, H
;
Jia, HQ
;
Jiang, Y
;
Qian, WN
;
Wang, G
;
Lu, TP
;
He, M
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2014/01/16
Si doping
InGaN
V-shaped defect
Tunable continuous-wave laser at quasi-three-level with a disordered Nd:LGS crystal
期刊论文
OPTICS LETTERS, 2011, 卷号: 36, 期号: 10, 页码: 1770
Wang, Q
;
Wei, ZY
;
Zhang, YD
;
Zhang, ZG
;
Yu, HH
;
Zhang, HJ
;
Wang, JY
;
Gao, MW
;
Gao, CQ
;
Wang, ZL
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2013/09/23
Q-SWITCHED LASER
NDLGS LASER
GENERATION
POWER
NM
The influence of pressure on the growth of a-plane GaN on r-plane sapphire substrates by MOCVD
期刊论文
SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2011, 卷号: 54, 期号: 3, 页码: 446
He, T
;
Li, H
;
Dai, LG
;
Wang, XL
;
Chen, Y
;
Ma, ZG
;
Xu, PQ
;
Jiang, Y
;
Wang, L
;
Jia, HQ
;
Wang, WX
;
Chen, H
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2013/09/23
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
QUANTUM-WELLS
PHOTOLUMINESCENCE
NITRIDE
FIELDS
LAYERS
Growth and characterization of a new non-linear optical tris lead tris barium borate (TLTBB) single crystal
期刊论文
MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS, 2011, 卷号: 127, 期号: 1-2, 页码: 79
Prabha, K
;
Feng, B
;
Chen, H
;
Bhagavannarayana, G
;
Sagayaraj, P
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/09/17
LITHIUM BORATE
REDETERMINATION
SPECTRA
KB5
Three-step growth optimization of AlN epilayers by MOCVD
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 2265
Peng, MZ
;
Guo, LW
;
Zhang, J
;
Yu, NS
;
Zhu, XL
;
Yan, JF
;
Ge, BH
;
Jia, HQ
;
Chen, H
;
Zhou, JM
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/09/23
X-RAY-DIFFRACTION
LIGHT-EMITTING-DIODES
GAN FILMS
SAPPHIRE
AIN
Growth, Antimony Incorporation Behaviour and Beryllium Doping of GaAs1-ySby Grown on GaAs by Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 4466
Gao, HC
;
Wang, WX
;
Jiang, ZW
;
Liu, J
;
Yang, CL
;
Wu, DZ
;
Zhou, JM
;
Chen, H
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/09/17
HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS
GROUP-V ELEMENTS
THERMODYNAMIC ANALYSIS
SEMICONDUCTORS
INP
Sub-band-gap photoconductivity of individual alpha-Si3N4 nanowires
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2007, 卷号: 18, 期号: 32
Zhang, JY
;
Chen, YX
;
Guo, TL
;
Lin, ZX
;
Wang, TH
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/09/24
Structural characterization of InN films grown on different buffer layers by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2007, 卷号: 306, 期号: 2, 页码: 292
Zhu, XL
;
Guo, LW
;
Yu, NS
;
Yan, JF
;
Peng, MZ
;
Zhang, J
;
Jia, HQ
;
Chen, H
;
Zhou, JM
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2013/09/24
The growth parameter influence on the crystal quality of InAsSb grown on GaAs by molecular beam epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2007, 卷号: 308, 期号: 2, 页码: 406
Gao, HC
;
Wang, WX
;
Jiang, ZW
;
Liu, LS
;
Zhou, JM
;
Chen, H
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2013/09/23
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