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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Weibull characteristics of n-MOSFET's with ultrathin gate oxides under FN stress and lifetime prediction 期刊论文 microelectronics reliability, 2002 Mu, FC; Xu, MZ; Tan, CH; Duan, XR 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/10 DIELECTRIC-BREAKDOWN  THIN  WEAROUT  ACCELERATION  SIO2-FILMS   A statistical equivalent relationship between TDDW and TDDB of ultra-thin oxides 期刊论文 chinese journal of electronics, 2002 Mu, FC; Xu, MZ; Tan, CH; Duan, XR 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 time-dependent dielectric wearout (TDDW)  time-dependent dielectric breakdown (TDDB)  Weibull distribution  MOSFET reliability  FN stress  DIELECTRIC-BREAKDOWN  ACCELERATION  STRESS   威布尔分布组与删失数据下最大似然估计的存在性 其他 2001-01-01 刘力平 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/10/23 威布尔分布  右删失  最大似然估计   Statistical failure characteristics of N-MOSFET's with ultrathin gate oxides under FN stress and lifetime prediction 期刊论文 pan tao ti hsueh paochinese journal of semiconductors, 2001 Mu, Fu-Chen; Xu, Ming-Zhen; Tan, Chang-Hua; Duan, Xiao-Rong 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/17 Another Way to Investigate the Characteristics of Time-Dependent Dielectric Breakdown of Ultra-Thin Oxides 其他 2001-01-01 Fuchen Mu; Mingzhen Xu; Changhua Tan; Xiaorong Duan 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2017/12/03 lifetime  delta  acceleration  Weibull  dielectric  fairly  二山  圈口  刁双  丘岭   Another way to investigate the characteristics of Time-Dependent Dielectric Breakdown of ultra-thin oxides 其他 2001-01-01 Mu, FC; Xu, MZ; Tan, CH; Duan, XR 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/13 ACCELERATION  STRESS