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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Surrounding Strain Effects on the Performance of Si Nanowires Grown in Different Axial Orientations 期刊论文 ieee 纳米技术汇刊, 2011 Xu, Honghua; Liu, Xiaoyan; Du, Gang; Fan, Chun; Jin, Rui; Han, Ruqi; Kang, Jinfeng 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/10 Effective hole mobility  k.p method  Kubo-Greenwood formula  strain tensor component  surrounding strain  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  BAND-STRUCTURE  SILICON  GATE  OXIDATION  MOBILITY   Influence of Radial Stress on the Performance of Gate-All-Around Ge(110) NW FETs with HfO2 Dielectric 其他 2011-01-01 Xu, Honghua; Liu, Xiaoyan; Du, Gang; He, Yuhui; Fan, Chun; Han, Ruqi; Kang, Jinfeng 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/11/13 Radial Stress  Strain Tensor Distribution  Valence Subband  Hole Mobility  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  LAYER  NANOWIRES  DEVICES  STRAIN  IMPACT   Impact of Inhomogeneous Strain on the Valence Band Structures of Ge-Si Core-Shell Nanowires 其他 2008-01-01 He, Yuhui; Fan, Chun; Zhao, Yu Ning; Du, Gang; Liu, Xiao Yan; Han, Ruqi 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/10 strain effect  core-shell nanowire  valence band  QUANTUM-WELLS  HETEROSTRUCTURES  DOTS