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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A metal-oxide-semiconductor radiation dosimeter with a thick and defect-rich oxide layer 期刊论文 JOURNAL OF MICROMECHANICS AND MICROENGINEERING, 2016 Liu, Hongrui; Yang, Yuhao; Zhang, Jinwen 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/12/03 MOS dosimeter  trench-and-beam structure  MEMS-made SiO2  TSC  high sensitivity  THERMALLY-STIMULATED-CURRENT  OXIDIZED SILICON  MOS DEVICES  HOLE TRAPS  SIO2  CURRENTS  CENTERS  CAPACITORS  INSULATORS  CHARGE   Nanoscale opening fabrication on Si (111) surface from SiO2 barrier for vertical growth of III-V nanowire arrays 期刊论文 NANOTECHNOLOGY, 2015 Shi, Tuanwei; Wang, Xiaoye; Wang, Baojun; Wang, Wei; Yang, Xiaoguang; Yang, Wenyuan; Chen, Qing; Xu, Hongqi; Xu, Shengyong; Yang, Tao 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 nanowire  nanohole  vertical  SiO2 barrier  catalysts-free  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  EPITAXIAL-GROWTH  SILICON  PERFORMANCE  MOSFETS