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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A metal-oxide-semiconductor radiation dosimeter with a thick and defect-rich oxide layer 期刊论文 JOURNAL OF MICROMECHANICS AND MICROENGINEERING, 2016 Liu, Hongrui; Yang, Yuhao; Zhang, Jinwen 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/12/03 MOS dosimeter  trench-and-beam structure  MEMS-made SiO2  TSC  high sensitivity  THERMALLY-STIMULATED-CURRENT  OXIDIZED SILICON  MOS DEVICES  HOLE TRAPS  SIO2  CURRENTS  CENTERS  CAPACITORS  INSULATORS  CHARGE   The effect of the boron-ions implantation on the performance of RADFETs 期刊论文 SCIENCE CHINA-TECHNOLOGICAL SCIENCES, 2016 Liu HongRui; Wang ShuaiMin; Zhang JinWen 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/12/03 dosimeters  PMOS RADFETs  implant dose  post-annealing temperature  real time auto-measurement system  radiation effects  RADIATION SENSITIVITY  PMOS DOSIMETERS  RAY-IRRADIATION  SILICON  SPACE  FLOW   Transmission electron microscope observation of a freestanding nanocrystal in a Coulomb potential well 期刊论文 nanoscale, 2010 Xu, Sheng-Yong; Sun, Wei-Qiang; Zhang, Meng; Xu, Jian; Peng, Lian-Mao 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2015/11/10 NEUTRAL PARTICLES  SINGLE-ELECTRON  MANIPULATION  TWEEZERS  DYNAMICS  PHYSICS  TRAPS  ION   Bias temperature instability of binary oxide based reram 其他 2010-01-01 Fang, Z.; Yu, H.Y.; Liu, W.J.; Pey, K.L.; Li, X.; Wu, L.; Wang, Z.R.; Lo, Patrick G.Q.; Gao, B.; Kang, J.F. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 Investigations on Proton-Irradiation-Induced Spacer Damage in Deep-Submicron MOSFETs 其他 2008-01-01 Xue, Shoubin; Wang, Pengfei; Huang, Ru; Wu, Dake; Pei, Yunpeng; Wang, Wenhua; Zhang, Xing 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2015/11/10 THIN GATE OXIDES  HEAVY-ION IRRADIATION  INDUCED LEAKAGE CURRENT  RELIABILITY DEGRADATION  CMOS TRANSISTORS  DEPENDENCE  BREAKDOWN   A statistic model for ion clouds in Paul traps 其他 2000-01-01 Hou, JD; Wang, YQ; Yang, DH 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 RF QUADRUPOLE TRAP  SPACE-CHARGE  STORED IONS