×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
北京大学 [23]
内容类型
期刊论文 [18]
其他 [5]
发表日期
2014 [1]
2011 [1]
2009 [1]
2008 [1]
2007 [2]
2006 [3]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共23条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:北京大学
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
锂-硫电池正极材料设计
其他
2014-01-01
李真
;
王超
;
袁利霞
;
陈继涛
;
黄云辉
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2015/11/16
硫电极
循环稳定性
充放电过程
中间产物
材料设计
高能量密度
产业化应用
倍率性能
硫化锂
易溶
超薄栅MOS器件退化过程中的缺陷势垒
其他
2011-01-01
许铭真
;
贾高升
;
谭长华
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2015/11/12
金属-氧化物-半导体场效应管 超薄栅器件 退化效应 缺陷势垒
外显子芯片的数据分析和可变剪接预测的新算法
其他
2009-01-01
杭兴宜
;
邓明华
;
孙志贤
;
张成岗
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2015/11/13
外显子芯片
可变剪接
算法
基因表达
基于剪接信号和调节元件序列特征的剪接位点预测方法
期刊论文
科学通报, 2008
孙宗晓
;
桑凌洁
;
居理宁
;
朱怀球
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2015/10/23
基因预测
剪接位点
剪接信号
调节元件
用直接隧道栅电流在线表征PMOSFET负偏压温度不稳定性
期刊论文
中国集成电路, 2007
贾高升
;
许铭真
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2015/11/11
超薄栅氧化层
负偏压温度不稳定性(NBTI)
退化
恢复效应
PMOSFET
硅基异质结n-SiOxNy/n-Si二极管的I-V特性分析
期刊论文
半导体学报, 2007
许铭真
;
谭长华
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2015/11/12
硅基n-SiOxNy宽带隙半导体薄膜 硅基异质结二极管 FN隧道导电机制
用DTPDO研究超薄栅氧化层的诱生缺陷
期刊论文
固体电子学研究与进展, 2006
贾高升
;
许铭真
;
谭长华
;
段小蓉
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2015/11/11
金属-氧化物-半导体器件
直接隧穿栅电流
比例差分谱
多缺陷
超薄SiO2软击穿后I-V特性的饱和性质
期刊论文
半导体学报, 2006
许铭真
;
谭长华
;
段小蓉
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2015/11/12
超薄SiO2 软击穿 I-V饱和特性
硅基异质结N-SiOxNy/N-Si二极管的IV特性分析
其他
2006-01-01
许铭真
;
谭长华
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2015/11/12
半导体薄膜 硅基异质结二极管 FN隧道导电机制
超薄SiO2软击穿后I-V特性的饱和性质研究
其他
2005-01-01
许铭真
;
谭长华
;
段小蓉
;
何燕冬
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2015/11/11
超薄SiO2
软击穿
栅电流
饱和性质
I-V特性
电子速度饱和
比例差值方法
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace