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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：厦门大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Role of Ge interlayer in the growth of high-quality strain relaxed SiGe layer with low dislocation density 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2010.10.068, 2011 Chen, Chengzhao; Liao, Linghong; Li, Cheng; Lai, Hongkai; Chen, Songyan; 李成 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2013/12/12 VIRTUAL SUBSTRATE  RELAXATION  BUFFERS  FILMS   Role of Ge interlayer in the growth of high-quality strain relaxed SiGe layer with low dislocation density 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2010.10.068, 2011 Chen, C. Z.; Liao, L. H.; Li, C.; Lai, H. K.; Chen, S. Y.; 陈松岩 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12 VIRTUAL SUBSTRATE  RELAXATION  BUFFERS  FILMS   含界面刚性线夹杂与广义压电位错双压电介质的电弹性分析 期刊论文 2008 周志东; 赵社戌(上海交通大学工程力学系); 匡震邦(上海交通大学工程力学系) 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2011/04/26 压电材料  刚性线夹杂  位错  场强度因子  Green函数  bi-piezoelectric materials  interfacial rigid lines  dislocation  field intensity factors  Green s function   Coupled donor states in InP by Sn doping 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1063/1.2812666, 2007 Cai, Duanjun; Kang, Junyong; 康俊勇 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12 VERTICAL BRIDGMAN TECHNIQUE  INDIUM-PHOSPHIDE  PHOTOLUMINESCENCE  SEMICONDUCTORS  TEMPERATURE  GROWTH   Metal adlayer-induced relaxation of Au(111) reconstruction under electrochemical control 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1021/jp027459v, 2003 Wu, Q; Shang, WH; Yan, JW; Xie, ZX; Mao, BW; 谢兆雄 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2013/12/12 UNDERPOTENTIAL DEPOSITION  SURFACE  STRESS  COMPETITION  INTERFACES  ADSORPTION  DOMAINS   Metal adlayer-induced relaxation of Au(111) reconstruction under electrochemical control 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1021/jp027459v, 2003 Wu, Q.; Shang, W. H.; Yan, J. W.; Xie, Z. X.; Mao, B. W.; 毛秉伟 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2013/12/12 UNDERPOTENTIAL DEPOSITION  SURFACE  STRESS  COMPETITION  INTERFACES  ADSORPTION  DOMAINS