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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：厦门大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Well-width dependence of the emission linewidth in ZnO/MgZnO quantum wells 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-7-605, 2012 Lv, Xue-Qin; Zhang, Jiang-Yong; Ying, Lei-Ying; Liu, Wen-Jie; Hu, Xiao-Long; Zhang, Bao-Ping; Qiu, Zhi-Ren; Kuboya, Shigeyuki; Onabe, Kentaro; 张江勇; 张保平 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/07/22 Binding energy  Emission spectroscopy  Excitons  Linewidth  Phonon scattering  Photoluminescence   AlGaAs:Sn 中DX中心电子俘获势垒的精细结构 期刊论文 2002 肖细凤; 康俊勇 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2011/04/26 Laplace缺陷谱  俘获势垒  DX中心  AlGaAs∶Sn  Laplace Defect Spectroscopy （LDS）  Capture Barriers  DX centers   Fine structures of electron capture barriers of the DX centers in Sn-doped AlGaAs 期刊论文 2002 Xiao, X. F.; 肖细凤; Kang, J. Y.; 康俊勇 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12 ALXGA1-XAS  EMISSION  DONORS   Fine structures of Fe-related deep levels in GaAsP 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.39.2460, 2000 Kang, J. Y.; Zhan, H. H.; Huang, Q. S.; 康俊勇 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2013/12/12 ALXGA1-XAS   Laplace defect spectroscopy for recognition of deep-level fine structures 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1016/S0022-0248(99)00689-2, 2000 Kang, J. Y.; Zhan, H. H.; Huang, Q. S.; 康俊勇 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12 SEMICONDUCTORS  ALXGA1-XAS  CAPTURE  CENTERS   Capture barrier of Sn-related DX centers in AlGaAs epilayers 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1117/12.408452, 2000 Xiao, XF; Kang, JY; Zhan, HH; Huang, QS; Wang, XG; Chu, JH; Liu, P; Chang, Y; 康俊勇 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2013/12/12 ALXGA1-XAS   低磁场中掺锗GaAs晶体的生长 期刊论文 1994 康俊勇; 黄启圣 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2016/05/17 Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体  砷化镓  引上法晶体生长  磁场  掺杂  缺陷  groupⅢ-Ⅴcompound semiconductors  gallium arsenide  crystal pulling  magnetic Field  doping  deFects