QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：清华大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 ISAR目标多普勒偏置效应分析与补偿 期刊论文 2016, 2016 叶春茂; 鲁耀兵; 于长军; 杨健; YE Chun-mao; LU Yao-bing; YU Chang-jun; YANG Jian 收藏  |  浏览/下载：4/0 基于ACIS和HOOPS的面向复杂产品的装配仿真系统研究 期刊论文 2016, 2016 孟祥瑞; 张林鍹; 肖田元; MENG Xiangrui; ZHANG Linxuan; XIAO Tianyuan 收藏  |  浏览/下载：5/0 Quantification of the bias error induced by velocity gradients 期刊论文 2010, 2010 Li, D. X.; Muste, M.; Wang, X. K. 收藏  |  浏览/下载：5/0 Gate-capacitance-shift approach and compact modeling for quantum mechanical effects in poly-gates 期刊论文 2010, 2010 Zhang Dawei; Zhang Hao; Tian Lilin; Yu Zhiping 收藏  |  浏览/下载：1/0 A unified charge model comprising both 2D quantum mechanical effects in channels and in poly-silicon gates of MOSFETs 期刊论文 2010, 2010, OCT Zhang, DW; Zhang, H; Yu, ZP; Tian, LL 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2017/06/15 decanano-scaled MOSFETs  2D-QM effects  GCS approach  QM effects in poly-gates  unified analytical charge model  DEEP-SUBMICROMETER MOSFETS  Engineering, Electrical & Electronic  Physics, Applied  Physics, Condensed Matter