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半导体研究所 [8]
金属研究所 [2]
北京大学 [1]
上海微系统与信息技术... [1]
内容类型
期刊论文 [12]
发表日期
2007 [1]
2004 [2]
2003 [6]
2002 [2]
1998 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
Chemistry,... [1]
半导体物理 [1]
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Butt-coupled movpe growth for high-performance electro-absorption modulator integrated with a dfb laser
期刊论文
Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 308, 期号: 2, 页码: 297-301
作者:
Cheng, YuanBing
;
Pan, JiaoQing
;
Liang, Song
;
Feng, Wen
;
Liao, Zaiyi
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Coupling efficiency
Butt-joint scheme
Metal-organic vapor phase epitaxy
Selective area growth (sag)
Semiconducting indium phosphide
Laser diodes
Effects of v/iii ratio on ingaas and inp grown at low temperature by lp-mocvd
期刊论文
Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 1-2, 页码: 23-27
作者:
Jiang, L
;
Lin, T
;
Wei, X
;
Wang, GH
;
Zhang, GZ
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/05/12
Doping
X-ray diffraction
Low press
Metalorganic vapor phase epitaxy
Semiconducting iii-v materials
Semiconducting indium phosphide
Controlled cleavage of single semiconducting nanowires and study on the suitability of their use as nanocavities for nanolasers
期刊论文
应用物理学快报, 2004
Chen, Q
;
Peng, LM
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/11/12
INDIUM-PHOSPHIDE NANOWIRES
Microdefects and electrical uniformity of inp annealed in phosphorus and iron phosphide ambiances
期刊论文
Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 1-7
作者:
Dong, ZY
;
Zhao, YW
;
Zeng, YP
;
Duan, ML
;
Sun, WR
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2019/05/12
Annealing
Defects
Etching
Semiconducting indium phosphide
Microdefects and electrical uniformity of InP annealed in phosphorus and iron phosphide ambiances
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 1-7
作者:
Dong, ZY
;
Zhao, YW
;
Zeng, YP
;
Duan, ML
;
Sun, WR
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提交时间:2021/02/02
annealing
defects
etching
semiconducting indium phosphide
Influence of semi-insulating inp substrates on inalas epilayers grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 364-369
作者:
Dong, HW
;
Zhao, YW
;
Zeng, YP
;
Jiao, JH
;
Li, JM
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Diffusion
Interfaces
Substrates
Molecular beam epitaxy
Phosphides
Semiconducting indium phosphide
Influence of semi-insulating InP substrates on InAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 364-369
作者:
Dong, HW
;
Zhao, YW
;
Zeng, YP
;
Jiao, JH
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:0/0
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提交时间:2021/02/02
diffusion
interfaces
substrates
molecular beam epitaxy
phosphides
semiconducting indium phosphide
Influence of semi-insulating InP substrates on InAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 364-369
Dong HW
;
Zhao YW
;
Zeng YP
;
Jiao JH
;
Li JM
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
diffusion
interfaces
substrates
molecular beam epitaxy
phosphides
semiconducting indium phosphide
UNDOPED SEMIINSULATING INP
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHOSPHIDE VAPOR
FE
INTERFACE
PHOTOLUMINESCENCE
WAFER
UNIFORMITY
DIFFUSION
PRESSURE
Microdefects and electrical uniformity of InP annealed in phosphorus and iron phosphide ambiances
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 1-7
Dong ZY
;
Zhao YW
;
Zeng YP
;
Duan ML
;
Sun WR
;
Jiao JH
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:351/16
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提交时间:2010/08/12
annealing
defects
etching
semiconducting indium phosphide
FE-DOPED INP
SEMIINSULATING INP
INDIUM-PHOSPHIDE
DEFECTS
DIFFUSION
CRYSTALS
WAFERS
Positron-annihilation study of compensation defects in inp
期刊论文
Journal of applied physics, 2002, 卷号: 91, 期号: 4, 页码: 1998-2001
作者:
Shan, YY
;
Deng, AH
;
Ling, CC
;
Fung, S
;
Ling, CD
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
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