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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Excitonic photoluminescence properties of nanocrystalline GaSb and Ga0.62In0.38Sb embedded in silica films 期刊论文 journal of luminescence, 2002, 卷号: 99, 期号: 3, 页码: 273-281 Liu FM; Wang TM; Zhang LD; Li GH; Han HX 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 nanocrystals  photoluminescence  quantum confinement  GaSb  Ga0.62In0.38Sb  LIQUID-PHASE EPITAXY  X-RAY PHOTOELECTRON  GALLIUM ANTIMONIDE  COMPOSITE FILMS  QUANTUM DOTS  RAMAN  SPECTROSCOPY  DEPOSITION  SPECTRA  MATRIX   The transition from Eu3+ to Eu2+ in SiO2(Eu) thin films prepared by ion implantation and co-sputtering 期刊论文 acta physica sinica, 2001, 卷号: 50, 期号: 3, 页码: 532-535 Liu FZ; Zhu MF; Liu T; Li BC 收藏  |  浏览/下载：165/50  |  提交时间：2010/08/12 SiO2(Eu) films  XANES  SPECTROSCOPY  SILICON  VALENCE  GLASS  ER3+   Identification of induced reaction during XPS depth profile measurements of CeO2/Si films grown by ion beam epitaxy 期刊论文 vacuum, 1998, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 133-137 Wu Z; Huang D; Yang X; Wang J; Qin F; Zhang J; Yang Z 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 SPECTROSCOPY  ENERGY