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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文    专题：兰州理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A study on repeatable and universal growth morphology optimization for nanowires grown on Si substrates 期刊论文 Vacuum, 2022, 卷号: 201 作者:  Wang, Xiaoye;  Bai, Xue;  Yang, Xiaoguang;  Du, Wenna;  Yang, Tao 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2022/06/20 Crystal defects  Gallium alloys  III-V semiconductors  Indium alloys  Metallorganic chemical vapor deposition  Morphology  Nanowires  Semiconducting indium gallium arsenide  Semiconductor alloys  Silicon  Substrates  Growth morphology  High-temperature annealing  Inas nanowire  Metal-organic chemical vapour depositions  Optimisations  Parasitic island  Parasitics  Si substrates  Substrate surface  Treatment methods   A theoretical and experimental study on effect of growth time on self-catalyzed InAs nanowires 期刊论文 Applied Surface Science, 2020, 卷号: 518 作者:  Wang, Xiaoye;  Bai, Xue;  Yang, Xiaoguang;  Liu, Xiaoming;  Du, Wenna 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2022/02/17 Adatoms  Catalysis  III-V semiconductors  Metallorganic chemical vapor deposition  Nanowires  Organic chemicals  Organometallics  Silicon  Diameter dependences  Diffusion length  Inas nanowires  Kinetic growth  Seed particle  Self-catalyzed  Self-catalyzed growth  Si substrates